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HY27US08281A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HY27US08281A
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内容描述: 的128Mbit ( 16Mx8bit / 8Mx16bit )NAND闪存 [128Mbit (16Mx8bit / 8Mx16bit) NAND Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 44 页 / 345 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY27US ( 08/16 ) 281A系列
的128Mbit ( 16Mx8bit / 8Mx16bit )NAND闪存
1.2
引脚说明
引脚名称
IO0-IO7
IO8-IO15(1)
描述
数据输入/输出
IO引脚允许以输入命令,地址和数据,并在读/程序输出数据
操作。该输入锁存,写使能( WE# )的上升沿。在I / O缓冲浮子
高Z时,该设备被取消选择或输出被禁止。
命令锁存使能
这个输入激活的内部地址与IO输入锁存上的上升沿注册
写使能( WE# ) 。
地址锁存使能
该输入激活的上升沿内部的命令寄存器的IO输入锁存
写使能( WE# ) 。
芯片使能
该输入控制装置的选择。当设备忙CE#低不取消
的存储器。
写使能
这个输入作为时钟锁存命令,地址和数据。在IO输入锁存上升
的WE#边沿。
读使能
对RE #输入为串行数据输出控制,并且当有源驱动器中的数据到I / O总线。数据
是有效TREA的RE#的下降沿也递增内部列地址计数器后
由之一。
写保护
在WP #引脚,低电平时,提供了一个硬件保护,防止不期望的修改(程序/
删除)操作。
准备好忙
就绪/忙输出为开漏引脚信号的存储器的状态。
电源电压
在VCC提供电源的所有操作(读,写,擦除) 。
无连接
启用和禁用锁定机制和开机自动读取。当PRE是逻辑高,
块锁定模式和上电自动读取模式被启用时,当PRE为逻辑低电平,座
在锁定模式和上电自动读取模式将被禁用。上电自动读取模式仅适用
在3.3V器件。
不使用锁机构&上电自动读取,将其连接VSS或离开它NC
CLE
ALE
CE#
WE#
RE #
WP #
RB #
VCC
VSS
NC
PRE
表2 :引脚说明
注意:
1.仅适用于x16的版本
2.一个0.1uF的电容应连接在VCC电源电压引脚和VSS接地引脚去耦之间
所述浪涌电流从电源。在PCB走线宽度必须足以携带所需的电流
在编程和擦除操作。
修订版0.6 / 2005年11月
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