HY27UG088G （ 5 / D）M系列
的8GB （ 1Gx8bit ） NAND闪存
功能摘要
高密度NAND闪存
- 成本效益的解决方案，为大容量存储的应用
NAND接口
- X8宽度。
- 复用的地址/数据
- 适用于所有密度引脚兼容
状态寄存器
电子签名
- 第一个周期：制造商代码
- 第二个周期：设备代码
CHIP ENABLE DO NOT CARE
- 简单的接口与微控制器
序列号选项
硬件数据保护
- 在电源转换编程/擦除锁定
数据完整性
- 100,000编程/擦除周期（有1位/ 512byte的ECC ）
- 10年的数据保留
包
- HY27UG088G5M -T （ P）
： 48引脚TSOP1 （ 12 ×20 ×1.2 MM）
- HY27UG088G5M -T （铅）
- HY27UG088G5M -TP （无铅）
- HY27UG088GDM -UP
： 52- ULGA （ 12 ×17× 0.65毫米）
- HY27UG088GDM -DP （无铅）
电源电压
- 3.3V器件： VCC = 2.7〜 3.6V ： HY27UG088G （ 5 / D）M
存储单元阵列
= （ 2K + 64 ）字节×64页X 8,192块
PAGE SIZE
- X8设备： （ 2K + 64备用）字节
： HY27UG088G （ 5 / D）M
BLOCK SIZE
- X8设备： （ 128K + 4K备用）字节
PAGE读取/编程
- 随机访问： 25US （最大）
- 顺序存取：为30ns （分钟）
- 页编程时间： 200us的（典型值）。
复制回编程模式
- 快速页复印，无需外部缓冲
缓存编程模式
- 内部缓存寄存器改进方案
吞吐量
快速块擦除
- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）
修订版0.6 / 2006年12月
4
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
