HY27UG088G （ 5 / D）M系列
的8GB （ 1Gx8bit ） NAND闪存
1，概要说明
海力士HY27UG088G （ 5 / D）M系列是1Gx8bit有备用32Mx8位的能力。该器件采用3.3V的Vcc
电源。
它的NAND单元为固态大容量存储市场最具成本效益的解决方案。
所述存储器被划分成可以独立地被擦除，以便能够保持而老的有效数据的块
数据被擦除。
该器件包含8192个块，由64页组成的32系列两个与非连接的结构组成
闪存单元。
程序操作允许写典型为200us 2112字节的页和擦除操作可以执行
一个128K字节（ X8设备）模块典型2ms的。
在页模式下的数据可在每字节30ns的周期时间被读出。在I / O引脚作为地址的端口和
数据输入/输出以及命令输入。该接口允许减少引脚数量和对昼夜温差轻松迁移
同的密度，不占用任何重排。
命令，数据和地址使用CE ， WE ， ALE和CLE输入引脚被同步引进。
片内编程/擦除控制器自动完成所有的编程和擦除功能，包括脉冲重复，在那里
要求和内部验证和数据的裕度。
改性可以使用WP输入引脚被锁定。
输出引脚; R / B （漏极开路缓冲器）信号的装置的每个操作期间的状态。在多系统
的PLE存储器中的R / B的引脚可以连接在一起，以提供一个全局状态信号。
即使是写密集型系统可以利用HY27UG088G的优势（ 2/5 / D）M扩展的100K亲可靠性
克/提供ECC （纠错码）与实时映射出的算法擦除周期。
该芯片可提供与CE不在乎功能。此功能允许代码从直接下载
通过微控制器的NAND闪存器件中，由于CE的转变不会停止读操作。
复制回功能使有缺陷的块管理的优化：当页面编程操作失败
该数据可以在不耗费时间序列直接编程在同一阵列部分内的另一页
数据插入阶段。
高速缓存程序功能允许在高速缓存寄存器中的数据的插入，而数据寄存器被复制到
闪存阵列。这种流水线的程序操作时，提高长文件里面写的程序吞吐量
内存。
缓存读取功能也可以实现。此功能允许大幅提高读取吞吐量CON组时，
secutive页面要流出来。
该器件还包括像OTP /唯一ID区域，读取ID2扩展额外的功能。
海力士HY27UG088G （ 5 / D） M系列是48可用 - TSOP1 12 ×20毫米， 52 ULGA 12 ×17毫米。
1.1产品列表
产品型号
HY27UG088G5M
HY27UG088GDM
ORIZATION
x8
x8
VCC范围
2.7V - 3.6伏特
2.7V - 3.6伏特
包
48TSOP1
52-ULGA
修订版0.6 / 2006年12月
5
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
