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HY29LV160TT-70I 参数 Datasheet PDF下载

HY29LV160TT-70I图片预览
型号: HY29LV160TT-70I
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内容描述: 16兆位( 2M ×8 / 1M ×16 )低电压闪存 [16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 48 页 / 516 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY29LV160
开始
(注意:
各部门一定要
之前保护
不保护任何部门)
设置地址:
A [ 19:12 ] =部门SNUM
A[6] = 1, A]1] = 1, A]0] = 0
- [R (E S) (E T) # = V
IH
TRYCNT = 1
SNUM = 0
写复位命令
写入0x40到地址
部门撤消
完整
- [R (E S) (E T) # = V
ID
从地址读
等待1美国
数据= 0×00 ?
从0x60写入到设备
是的
设置地址:
A[6] = 1, A]1] = 1, A]0] = 0
SNUM = 34 ?
写地址0x60至地址
等待15毫秒
NO
SNUM = SNUM + 1
是的
NO
增量TRYCNT
设备故障
NO
TRYCNT = 1000 ?
是的
图2.部门撤消算法
开始
编程与其相应的编程AL-
gorithm 。
提供了用于访问Elec-两种方法
TRONIC ID数据。第一步要求V
ID
在地址
引脚A [ 9] ,与obtain-附加要求
荷兰国际集团于表4。 Elec-列出特定的数据项
tronic的ID数据,也可以由主机获得的
经由的COM发出特定的命令
命令寄存器,如在“设备描述的COM
本数据手册的mands “部分。
而在高电压电子识别模式下,
系统可以读取特定地址来获得
某些设备标识和状态信息
化:
Ÿ
Ÿ
- [R (E S) (E T) # = V
ID
(所有受保护的行业
成为不受保护的)
进行编程或擦除
操作
- [R (E S) (E T) # = V
IH
(所有先前保护
行业回归保障
状态)
临时机构
不保护COMPLETE
读周期地址0xXXX00检索
制造商代码。
读周期地址0xXXX01在Word中
模式或0xXXX02在字节模式下返回
设备代码。
读周期包含一个扇区地址( SA )
在A [ 19:12 ]与地址0x02在Word模式
或字节模式0×04 ,返回为0x01 ,如果该节
器是受保护的,或者为0x00 ,如果它是不受保护的。
图3.临时机构撤消
算法
电子标识工作(高压法)
该电子识别模式提供了制造商和
设备识别和部门保护可证实
通过代码输出阳离子对DQ [ 15 : 0 ] 。这
模式主要用于编程分析装备
换货自动匹配的设备是亲
修订版1.2 / 5月1日
Ÿ
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