HY29LV160
表3. HY29LV160普通公交车运营
1
手术
读
写
输出禁用
CE＃正常待机
CE＃深度待机
硬件复位
（正常待机）
硬件复位
（深度待机）
CE＃
L
L
L
H
V
CC
± 0.3V
X
X
OE ＃
L
H
H
X
X
X
X
WE＃
H
L
H
X
X
X
X
RESET ＃
H
H
H
H
V
CC
± 0.3V
L
V
SS
± 0.3V
地址
A
IN
A
IN
X
X
X
X
X
2
DQ [7：0 ]
D
OUT
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DQ [15：8 ]
3
BYTE ＃ = H BYTE ＃ = L
D
OUT
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
注意事项：
1. L = V
IL
，H = V
IH
， X =无所谓（ L或H ） ，D
OUT
=数据输出，D
IN
=数据输入。见DC特性的电压等级。
2.地址为A [ 19 ： 0 ， -1]的字节模式和A [ 19 ： 0 ]在Word模式。
3. DQ [15]是在字节模式下的A [ -1]输入（ BYTE ＃ = L ） 。
表4. HY29LV160总线的运行需要高电压
1, 2
DQ [15：8 ]
手术
3
部门保护
部门撤消
临时机构
撤消
6
制造商代码
设备
HY29LV160B
CODE
HY29LV160T
扇区保护
验证
CE ＃ OE ＃ WE＃ RESET ＃ A [ 19:12 ] A [ 9] [ 6] [ 1] [ 0 ]
L
L
--
L
L
H
H
--
L
L
L
L
--
H
H
V
ID
V
ID
V
ID
H
H
SA
4
X
--
X
X
X
X
--
V
ID
V
ID
L
H
--
L
L
H
H
--
L
L
L
L
--
L
H
DQ [7：0 ]
D
IN
D
IN
--
0xAD
0x49
0xC4
0x00 =
无保护
0x01 =
保护
BYT E· BYT ê ＃
=H
= L
5
X
X
--
X
0x22
X
X
--
高-Z
高-Z
L
L
H
H
SA
4
V
ID
L
H
L
X
高-Z
注意事项：
1. L = V
IL
，H = V
IH
， X =无所谓（ L或H ） 。见DC特性的电压等级。
不指定2.地址位无关。
3.见正文和附录A了解更多信息。
4， SA =扇区地址。见表1和表2 。
5. DQ [15]是在字节模式下的A [ -1]输入（ BYTE ＃ = L ） 。
6.正常读取，写入，输出禁止操作都是在此模式下使用。见表3 。
8
修订版1.2 / 5月1日
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
