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HY57V561620CLT-7 参数 Datasheet PDF下载

HY57V561620CLT-7图片预览

型号：	HY57V561620CLT-7
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	4银行x 4米X 16Bit的同步DRAM [4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM]
分类和应用：	存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
文件页数/大小：	12 页 / 214 K
品牌：	HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]

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HY57V561620C(L)T(P)

交流特性II

-6

参数

符号

民

手术

RAS周期时间

自动刷新

RAS到CAS延迟

RAS活动时间

RAS预充电时间

RAS到RAS银行主动延迟

CAS到CAS延迟

写命令数据在延迟

写恢复时间

输入数据为ACTIVE命令

DQM到数据输出高阻

DQM到数据输入掩码

黄新建命令

CAS延时= 3

CAS延时= 2

TRRC

tRCD的

tRAS的

激进党

TRRD

TCCD

tWTL

tWR的

tDAL

tDQZ

TDQM

超过tMRD

tPROZ3

tPROZ2

TPDE

tSRE

TREF

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ns

ns

ns

ns

ns

CLK

CLK

CLK

CLK

CLK

CLK

CLK

CLK

CLK

CLK

CLK

ms

1

TRC

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最大

-

民

60

最大

-

民

60

最大

-

民

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最大

-

民

68

最大

-

民

70

最大

-

民

70

最大

-

ns

-7

-K

-H

-8

-P

-S

单位

记

预充电到数据

输出高阻

掉电退出时间

自刷新退出时间

刷新时间

注意：

1.新的命令可以自刷新退出后给予TRRC

2004年修订版0.5 / 6月

8

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