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HY57V561620CLT-7 参数 Datasheet PDF下载

HY57V561620CLT-7图片预览
型号: HY57V561620CLT-7
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内容描述: 4银行x 4米X 16Bit的同步DRAM [4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
文件页数/大小: 12 页 / 214 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY57V561620C(L)T(P)
电容
( TA = 25°C , F = 1MHz的)
-6/7/K/H
参数
输入电容
CLK
A0 〜 A12 , BA0 , BA1 , CKE , CS , RAS , CAS ,
WE , UDQM , LDQM
数据输入/输出电容
DQ0 〜 DQ15
符号
C
I1
CI
2
C
I / O
2.5
2.5
4.0
最大
3.5
3.8
6.5
2.5
2.5
4.0
最大
4.0
5.0
6.5
pF
pF
pF
-8/P/S
单位
输出负载电路
Vtt=1.4V
RT=250
产量
50pF
产量
50pF
DC输出负载电路
AC输出负载电路
DC特性I
值(TA = 0 〜70℃ ,V
DD
=3.3
±
0.3V)
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
符号
分钟。
-1
-1
2.4
-
最大
1
1
-
0.4
单位
uA
uA
V
V
1
2
I
OH
= -4mA
I
OL
= + 4毫安
注意:
1.V
IN
= 0至3.6V ,所有其他引脚没有在V测试
IN
=0V
2.D
OUT
被禁用,V
OUT
= 0〜 3.6V
2004年修订版0.5 / 6月
5