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    HY57V641620HGT-55I 参数 Datasheet PDF下载

    HY57V641620HGT-55I图片预览
    型号： HY57V641620HGT-55I
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4库x 1米x 16Bit的同步DRAM [4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 12 页 / 146 K
    品牌： HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号HY57V641620HGT-55I的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HY57V641620HGT-55I的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HY57V641620HGT-55I的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HY57V641620HGT-55I的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HY57V641620HGT-55I的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HY57V641620HGT-55I的Datasheet PDF文件第9页浏览型号HY57V641620HGT-55I的Datasheet PDF文件第10页浏览型号HY57V641620HGT-55I的Datasheet PDF文件第12页  
    HY57V641620HG
    命令真值表
    命令
    模式寄存器设置
    无操作
    银行主动
    读
    H
    阅读Autoprecharge
    写
    H
    与Autoprecharge写
    预充电所有银行
    H
    预充电选择银行
    突发停止
    DQM
    自动刷新
    突发读单
    写
    条目
    自刷新
    1
    出口
    H
    H
    H
    H
    H
    L
    H
    X
    L
    H
    L
    H
    条目
    预充电
    掉电
    出口
    L
    H
    L
    H
    时钟
    暂停
    条目
    出口
    H
    L
    L
    L
    H
    V
    X
    V
    V
    X
    H
    X
    H
    X
    H
    X
    X
    X
    H
    L
    L
    H
    H
    X
    H
    X
    H
    X
    X
    X
    H
    X
    H
    X
    H
    X
    X
    L
    L
    L
    H
    X
    L
    H
    X
    L
    L
    L
    X
    L
    L
    L
    X
    H
    L
    H
    X
    X
    H
    L
    X
    V
    X
    X
    X
    X
    X
    L
    L
    H
    L
    X
    X
    L
    X
    X
    X
    A9脚高
    （其他引脚OP代码）
    V
    X
    L
    H
    L
    L
    X
    CA
    H
    H
    X
    X
    L
    H
    L
    H
    X
    CA
    H
    L
    V
    CKEn-1
    H
    H
    H
    CKEN
    X
    X
    L
    X
    L
    H
    L
    H
    H
    H
    H
    X
    RA
    L
    V
    V
    CS
    L
    H
    RAS
    L
    X
    CAS
    L
    X
    WE
    L
    X
    X
    X
    DQM
    X
    ADDR
    A10/
    AP
    操作码
    BA
    记
    注意：
    1.退出自刷新发生了异步使CKE从低到高
    2， X =无关，H =逻辑高电平， L =逻辑低电平。 BA =银行地址， RA =行地址， CA =列地址，
    操作码=操作数代码， NOP =无操作
    1.0版/一月02
    11

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