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HY5DU56422AT-H 参数 Datasheet PDF下载

HY5DU56422AT-H图片预览
型号: HY5DU56422AT-H
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内容描述: 256M -S DDR SDRAM [256M-S DDR SDRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 36 页 / 366 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY5DU56422A(L)T
HY5DU56822A(L)T
HY5DU561622A(L)T
修订历史
1.修订0.2 ( 1月2日)
1)定义初步规范
2.修订版0.3 ( 3月2日)
1)定义IDD规格
2 )增加可编程的CAS Latrency 1.5
3 )变更V
REF
从最小值( 0.49 * V
DDQ )
&最大( 0.51 * V
DDQ )
以分(V
DDQ
/ 2-50mV ) &最大值(V
DDQ
/2+50mV)
4 )改变了我
LI
(输入漏电流)值+/- 5UA至+/-为2uA
3.版本0.4 (五月02)
1 )新增中科院Latrency 1.5 & 3评论
牧师/月0.4 。 02
2