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HY5DU56422AT-H 参数 Datasheet PDF下载

HY5DU56422AT-H图片预览
型号: HY5DU56422AT-H
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内容描述: 256M -S DDR SDRAM [256M-S DDR SDRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 36 页 / 366 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY5DU56422A(L)T
HY5DU56822A(L)T
HY5DU561622A(L)T
描述
初步
海力士HY5DU56422 , HY5DU56822和HY5DU561622是268435456位CMOS双数据速率( DDR )同步
异步的DRAM ,非常适合需要大容量内存密度和高频带 - 主存储器的应用
宽度。
在现代256MB的DDR SDRAM提供了参考的上升沿和下降沿完全同步操作
时钟。而所有地址和控制输入被锁止在CK的上升沿(下降沿将/ CK的边缘) ,数据
数据选通信号和写数据掩码输入采样在它的上升沿和下降沿。数据路径是跨
应受流水线和2位预取,以达到非常高的带宽。所有的输入和输出电压电平是兼容的
与SSTL_2 。
特点
V
DD
, V
DDQ
= 2.5V +/- 0.2V
所有输入和输出都与SSTL_2兼容
接口
全差分时钟输入( CK , / CK )操作
双倍数据速率接口
源同步 - 交易数据对齐
双向数据选通( DQS )
X16器件有两个单字节宽数据选通信号( UDQS ,
LDQS )按每个X8 I / O
读取时的DQS边缘数据输出(边DQ)
在DQS数据输入中心的时候写(居中
DQ )
片上DLL对齐DQ和DQS转换与CK
过渡
DM掩模写入数据中的上升和下降
数据选通的边缘
所有的地址和控制输入,除了数据,数据
选通和数据锁存口罩的上升沿
时钟
可编程CAS延时1.5 , 2 , 2.5和3
支持
可编程的突发长度2 /4/8既
顺序和交错模式
内置4组操作与单脉冲
/ RAS
tRAS的锁定功能的支持
自动刷新和自刷新支持
8192刷新周期/ 64ms的
JEDEC标准400mil 66pin TSOP- II与0.65毫米
引脚间距
通过控制全速和半强度驱动选项
EMRS
订购信息
产品型号
HY5DU56422A(L)T-X*
HY5DU56822A(L)T-X*
HY5DU561622A(L)T-X*
工作频率
400mil
66pin
TSOP -II
CON组fi guration
64Mx4
32Mx8
16Mx16
GRADE
-J
-M
-K
-H
-L
CL2
133MHz
133MHz
133MHz
100MHz
100MHz
CL2.5
166MHz
133MHz
133MHz
133MHz
125MHz
备注
( CL - tRCD的-TRP )
DDR333 ( 2.5-3-3 )
DDR266 ( 2-2-2 )
DDR266A ( 2-3-3 )
DDR266B ( 2.5-3-3 )
DDR200 ( 2-2-2 )
* X表示速度等级
* CL1.5 @ DDR200支持
*支持CL3
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