HY5DU28422ETP
HY5DU28822ETP
HY5DU281622ETP
引脚说明
针
CK ， / CK
TYPE
输入
描述
时钟： CK和/ CK是差分时钟输入。所有地址和控制输入信号
采样CK和/ CK下降沿的正面边缘的交叉。产量
（读）数据为参考和CK / CK的交叉（交叉的两个方向） 。
时钟使能： CKE高激活，并且CKE低停用内部时钟信号，
装置的输入缓冲器和输出驱动器。以CKE LOW提供预充电电源
向下和自刷新操作（所有银行闲置） ，或ACTIVE POWER DOWN （行
在任何银行ACTIVE ） 。 CKE是同步的POWER DOWN进入和退出，自
刷新进入。 CKE是异步的自刷新退出，输出禁用。 CKE
必须保持高通量读取和写入访问。输入缓冲器，但不包括
CK ， / CK和CKE是在断电禁用。输入缓冲器，但不包括CKE是
在自刷新无效。 CKE是SSTL_2输入，但会检测LVCMOS低
Vdd的后级被应用。
芯片选择：启用或禁用除CK ， / CK ， CKE ， DQS和DM的所有输入。所有的COM
当CS注册的高要求主要屏蔽。 CS为外部银行的选择
系统与多家银行。 CS被认为是命令代码的一部分。
银行地址输入： BA0和BA1确定哪个银行的积极，读，写或PRE-
充电命令被应用。
地址输入：提供行地址为ACTIVE命令和列地址
和自动预充电位读/写命令，选择一个位置出来的
在各自的组存储器阵列。预充电命令时A10采样
确定是否预充电适用于一家银行（ A10 LOW）或所有银行（ A10
HIGH ） 。如果只有一家银行被预充电，该行被选中BA0 ， BA1 。该
地址输入也是一个模式寄存器设置命令时提供的操作码。 BA0
以及模式寄存器的模式寄存器设置命令时被加载BA1定义
（MRS或EMRS ） 。
输入命令： / RAS ， / CAS和/ WE （连同/ CS ）定义的命令是
输入。
输入数据掩码： DM是输入掩码信号写入数据。输入数据被屏蔽时
在写访问DM进行采样，以及输入数据高。 DM采样
在DQS的两边。虽然DM引脚的输入而已， DM负载相匹配的DQ
和DQS装载。对于x16的， LDM对应于DQ0 -Q7的数据; UDM corre-
sponds对DQ8 - Q15中的数据。
数据选通：输出与读出的数据，输入与写入数据。边缘与读取数据对齐，
集中在写入数据。用于捕获写数据。对于x16的， LDQS对应于
在DQ0 - Q7数据; UDQS对应于DQ8 - Q15中的数据。
数据输入/输出引脚：数据总线
电源为内部电路和输入缓冲器。
电源的输出缓冲器，可抗噪性能。
参考电压输入端SSTL接口。
无连接。
CKE
输入
/ CS
输入
BA0 ， BA1
输入
A0 ~ A11
输入
/ RAS ， / CAS ， / WE
输入
DM
（ LDM ， UDM ）
输入
的DQ
（ LDQS ， UDQS ）
DQ
V
DD
/V
SS
V
DDQ
/V
SSQ
V
REF
NC
I / O
I / O
供应
供应
供应
NC
修订版0.3 /四月2006年
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HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
