HY5DU28422ETP
HY5DU28822ETP
HY5DU281622ETP
简化的命令真值表
命令
扩展模式寄存器设置
模式寄存器设置
设备取消
无操作
银行主动
读
阅读Autoprecharge
写
与Autoprecharge写
预充电所有银行
预充电选择银行
阅读突发停止
自动刷新
条目
自刷新
出口
CKEn-1
H
H
H
H
H
CKEN
X
X
X
X
X
CS
L
L
H
L
L
L
RAS
L
L
X
H
L
H
CAS
L
L
X
H
H
L
WE
L
L
X
H
H
H
CA
RA
L
H
L
H
H
L
X
X
ADDR
A10/
AP
操作码
操作码
X
V
V
BA
记
1,2
1,2
1
1
1
1,3
1
1,4
1,5
1
1
1
1
X
1
1
X
1
1
1
1
X
1
1
H
X
L
H
L
L
CA
V
X
V
H
H
H
H
L
X
X
H
L
H
L
L
L
L
H
L
H
L
H
L
H
L
L
H
L
L
X
H
X
H
X
H
X
V
X
H
H
L
L
X
H
X
H
X
H
X
V
L
L
H
H
X
H
X
H
X
H
X
V
X
条目
预充电电源
Down模式
出口
H
L
L
H
有功
Down模式
条目
出口
H
L
L
H
（ H =逻辑高电平， L =逻辑低电平， X =无所谓，V =有效数据输入， OP代码=操作数代码， NOP =不操作）
注意：
1. LDM / UDM状态都不在乎。请参考下面写屏蔽真值表。
2. OP码（操作数代码）由A0 〜 A11和BA0 〜 BA1用于在扩展MRS或MRS模式寄存器设置。
在进入模式寄存器设置模式下，所有银行都必须在可激进党后发出预充电状态和MRS指令
期间预充电命令。
3.如果读与Autoprecharge命令由存储器组件中的CK （n）的检测，然后将没有呈现命令
要激活的银行，直到CK （N + BL / 2 +激进党） 。
4.如果有Autoprecharge命令写入是由CK （ n）的内存组件检测到，那么就没有给出命令
到活化的银行直到CK的第（n + BL / 2 + 1 + tDPL + tRP）内。最后的数据进行预充电延迟（ tDPL ），也被称为写恢复时间
（ tWR的）是必要的，以保证最后的数据已被完全写入。
5.如果A10 / AP为高电平时发出预充电命令， BA0 / BA1被忽略，所有的银行都选择为
预充电。
修订版0.3 /四月2006年
9
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
