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    HY5S7B6ALFP-H 参数 Datasheet PDF下载

    HY5S7B6ALFP-H图片预览
    型号： HY5S7B6ALFP-H
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 基于8M 512Mbit的移动SDR SDRAM的X 4Bank x16I / O [512MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 8M x 4Bank x16I/O]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 52 页 / 655 K
    品牌： HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号HY5S7B6ALFP-H的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HY5S7B6ALFP-H的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HY5S7B6ALFP-H的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HY5S7B6ALFP-H的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HY5S7B6ALFP-H的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HY5S7B6ALFP-H的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HY5S7B6ALFP-H的Datasheet PDF文件第9页浏览型号HY5S7B6ALFP-H的Datasheet PDF文件第10页  
    512Mbit的（ 32Mx16bit ）移动SDR记忆
    HY5S7B6ALF （ P）系列
    球说明
    符号
    CLK
    TYPE
    输入
    描述
    时钟：系统时钟输入。所有其它输入被登记到在SDRAM中
    CLK的上升沿
    时钟使能：控制内部时钟信号和停用时，将SDRAM会
    跻身（深）断电，暂停或自刷新的国家之一
    芯片选择：启用或禁用除CLK ， CKE ， UDQM和LDQM所有输入
    银行地址：银行选择将RAS活动期间激活
    CAS活动期间选择银行进行读/写
    行地址： RA0 〜 RA12 ，列地址： CA0 〜 CA9
    自动预充电标志： A10
    命令输入： RAS ， CAS和WE定义操作
    请参阅功能真值表细节
    数据屏蔽：控制输出缓冲器在写读方式和口罩的输入数据
    模式
    数据输入/输出：复用数据输入/输出引脚
    电源的内部电路
    电源，输出缓冲器
    无连接
    11
    CKE
    CS
    BA0 ， BA1
    输入
    输入
    输入
    A0 ~ A12
    输入
    RAS ， CAS ， WE
    输入
    UDQM ， LDQM
    DQ0 〜 DQ15
    V
    DD
    /V
    SS
    V
    DDQ
    /V
    SSQ
    NC
    输入
    I / O
    供应
    供应
    -
    版本1.1 /月。 2007年
    6

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