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HY5S7B6ALFP-H 参数 Datasheet PDF下载

HY5S7B6ALFP-H图片预览
型号: HY5S7B6ALFP-H
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内容描述: 基于8M 512Mbit的移动SDR SDRAM的X 4Bank x16I / O [512MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 8M x 4Bank x16I/O]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 52 页 / 655 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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512Mbit的( 32Mx16bit )移动SDR记忆
HY5S7B6ALF ( P)系列
电容
(T
A
= 25
o
C,F = 1MHz的)
6/H/S
参数
符号
CLK
输入电容
A0 〜 A12 , BA0 , BA1 , CKE , CS , RAS ,
CAS,WE , UDQM , LDQM
数据输入/输出电容
DQ0 〜 DQ15
CI1
CI2
CI / O
2
2
2
最大
4.0
4.0
4.5
pF
pF
pF
单位
11
DC特性的研究我
(T
A
= -25 〜85
o
C)
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
注意事项:
1. VIN = 0〜 1.8V 。所有其它引脚不VIN = 0V下进行测试。
2. DOUT被禁用。 VOUT = 0〜 1.95V 。
3. IOUT = - 0.1毫安
4. IOUT = + 0.1毫安
符号
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
-1
-1
V
DDQ
-0.2
-
最大
1
1
-
0.2
单位
uA
uA
V
V
1
2
3
4
版本1.1 /月。 2007年
8