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    ICE2N73D 参数 Datasheet PDF下载

    ICE2N73D图片预览
    型号： ICE2N73D
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 增强型MOSFET [Enhancement Mode MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 832 K
    品牌： ICEMOS [ Icemos Technology ]
     浏览型号ICE2N73D的Datasheet PDF文件第1页浏览型号ICE2N73D的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ICE2N73D的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ICE2N73D的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ICE2N73D的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ICE2N73D的Datasheet PDF文件第7页浏览型号ICE2N73D的Datasheet PDF文件第8页浏览型号ICE2N73D的Datasheet PDF文件第9页  
    初步数据表
    ICE2N73D
    参数
    热特性
    热阻， Junction-
    例
    热阻， Junction-
    环境
    焊接温度，波
    焊接只允许在引线
    R
    thJC
    R
    thJA
    T
    出售
    含铅
    1.6毫米从（ 0.063英寸）
    情况下进行10秒
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1.9
    o
    符号
    条件
    值
    民
    典型值
    最大
    单位
    C / W
    68
    260
    o
    C
    电气特性
    b
    ,
    at
    T
    =25
    o
    C，除非另有规定编
    j
    静态特性
    漏源击穿电压
    V
    （ BR ） DSS
    V
    GS （ TH）
    栅极阈值电压
    V
    GS
    =0 V,
    I
    D
    =250µA
    V
    DS
    =V
    GS
    ,
    I
    D
    =250µA
    V
    DS
    =730V,
    V
    GS
    =0V,
    o
    T
    j
    =25 C
    V
    DS
    =730V,
    V
    GS
    =0V,
    o
    T
    j
    =150 C
    V
    GS
    =±20 V,
    V
    DS
    =0V
    V
    GS
    =10V,
    I
    D
    =1A,
    T
    j
    =25 C
    o
    730
    2.1
    -
    770
    3
    0.5
    -
    3.9
    5
    V
    零栅极电压漏极电流
    I
    DSS
    µA
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1.0
    2.6
    6.3
    100
    100
    1.2
    Ω
    -
    -
    Ω
    nA
    门源漏电流
    漏源
    导通状态电阻
    栅极电阻
    动态特性
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    I
    GSS
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    =10V,
    I
    D
    =1A,
    o
    T
    j
    =150 C
    f=1
    MHZ ，漏极开路
    R
    G
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    g
    fs
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    GS
    =0 V,
    V
    DS
    =25 V,
    f=1
    兆赫
    -
    -
    630
    430
    -
    -
    pF
    -
    V
    DS
    >2*I
    D
    *R
    DS
    , I
    D
    =1A
    V
    DS
    =480V,
    V
    GS
    =10V,
    I
    D
    =2A,
    R
    G
    = 4Ω （外部）
    -
    -
    -
    -
    -
    12
    4
    22
    5
    67
    4.5
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ns
    跨
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    S
    SP-2N73D-000-0
    08/30/2013
    2

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