IC41C82002-60J 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IC41C82002-60J
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内容描述：	2M ×8 （ 16兆位）动态RAM与EDO页模式 [2M x 8 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE]
分类和应用：	内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小：	18 页 / 195 K
品牌：	ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]

IC41C82002

IC41LV82002

.UNCTIONAL描述

该IC41C82002和IC41LV82002是CMOS DRAM的

高速带宽进行了优化，低功率

应用程序。在读或写周期，每个位

通过11位地址唯一解决。这些

输入11位（ A0 - A10）的时间为2K刷新

装置。的行地址由行地址锁存

选通脉冲（RAS）的。列地址被锁存

列地址选通（ CAS）。

RAS

用于锁存所述

第9位，

CAS

使用后者的10比特。

刷新周期

保留数据， 2048刷新周期需要在每

32毫秒的时间。有两种方法来刷新存储器：

1.计时每2048行地址（ A0

通过A10）与RAS至少每32毫秒。任何

读，写，读 - 修改 - 写或RAS只重周期

freshes被寻址的行。

2.使用

CAS先于RAS

刷新周期。

CAS-直至─

RAS

刷新由下降沿激活

RAS ，

同时举行

CAS

低。在

CAS先于RAS

刷新

周期时，内部11位计数器提供的行AD-

礼服和外部地址输入将被忽略。

CAS先于RAS

是刷新-only模式，没有数据

访问或设备的选择是允许的。因此，输出

在循环过程中保持在高阻状态。

存储周期

存储器周期是由带启动

RAS

低，这是

通过返回两个终止

RAS

和

CAS

HIGH 。对

保证器件正常工作和数据完整性的任何

存储器周期，一旦启动，不能结束或

最低吨前中止

RAS

时间已经过期。新

周期不能启动，直到最小的预充电

时间T

, t

是否已经过去。

POWER- ON

应用在V后

供应的初始暂停

200 μs的需要之后至少8初始

化周期（含周期的任意组合

RAS

信号）。

上电过程中，则建议

RAS

与跟踪

或在一个有效的V举行

为了避免电流浪涌。

读周期

读周期由下降沿启动

CAS

OE ，

为准过去，一边拿着

HIGH 。该

列地址必须对指定的最小时间

经t

。数据输出变为有效只有当T

RAC

, t

CAC

和T

OEA

都不满意。其结果是，在存取时间是

依赖于它们之间的定时关系

参数。

写周期

写周期是由下降沿启动

CAS

和

WE ，

为准过去。输入数据必须是有效的或

下降沿之前

CAS

WE ，

以先到为准

最后。

集成电路解决方案公司

DR017-0A 2001年6月22日

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