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IC41C82002-60J 参数 Datasheet PDF下载

IC41C82002-60J图片预览
型号: IC41C82002-60J
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内容描述: 2M ×8 ( 16兆位)动态RAM与EDO页模式 [2M x 8 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 18 页 / 195 K
品牌: ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
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IC41C82002
IC41LV82002
AC特性
(续)
(1,2,3,4,5,6)
(推荐工作条件,除非另有说明。 )
符号
t
ACH
t
OEH
t
DS
t
DH
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
t
PC
t
RASP
t
注册会计师
t
PRWC
t
COH
t
O..
t
WHZ
t
企业社会责任
t
CHR
t
ORD
t
RE 。
t
T
参数
列地址建立时间
CAS
在写周期的预充电
OE
从保持时间
WE
READ - MODI.Y - 写周期
(18)
数据的建立时间
(15, 22)
数据保持时间
(15, 22)
READ - MODI.Y - 写周期时间
RAS
to
WE
在延迟时间
READ - MODI.Y - 写周期
(14)
CAS
to
WE
延迟时间
(14, 20)
列地址为
WE
延迟时间
(14)
EDO页面模式读取或写入
周期
RAS
在EDO页模式脉冲宽度
访问时间从
CAS
预充电
(15)
EDO页面模式读写
周期
数据输出保持后
CAS
输出缓冲关断延迟从
CAS
or
RAS
(13,15,19, 24)
输出禁用延迟从
WE
CAS
建立时间( CBR RE.RESH )
(20, 25)
CAS
保持时间( CBR RE.RESH )
( 21, 25)
OE
建立时间之前,
RAS
HIDDEN RE.RESH周期
自动刷新周期
2048周期
转换时间(上升或。所有)
(2, 3)
1
-50
分钟。马克斯。
15
8
0
8
108
64
26
39
20
50
—
56
5
0
3
5
8
0
—
50
—
—
—
—
—
—
—
—
—
100K
30
—
—
12
10
—
—
—
32
1
-60
分钟。马克斯。
15
10
0
10
133
77
32
47
25
60
—
68
5
0
3
5
10
0
—
50
—
—
—
—
—
—
—
—
—
100K
35
—
—
15
10
—
—
—
32
ns
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
AC测试条件
输出负载:
两个TTL负载和50页。 ( VCC = 5.0V + 10 % )
一个TTL负载和50页。 ( VCC = 3.3V + 10 % )
输入时序参考水平: V
IH
= 2.4V, V
IL
= 0.8V (VCC = 5.0V + 10 % )
V
IH
= 2.0V, V
IL
= 0.8V (VCC = 3.3V + 10 % )
输出时序参考水平: V
OH
= 2.0V, V
OL
= 0.8V (VCC = 5.0V + 10 % , 3.3V ±10%)
集成电路解决方案公司
DR017-0A 2001年6月22日
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