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IC41LV16100AS-50T 参数 Datasheet PDF下载

IC41LV16100AS-50T图片预览
型号: IC41LV16100AS-50T
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内容描述: 1M ×16 ( 16兆位)动态RAM与EDO页模式 [1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 21 页 / 232 K
品牌: ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
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IC41C16100A/IC41C16100AS
IC41LV16100A/IC41LV16100AS
电气特性
(1)
(推荐工作条件,除非另有说明。 )
符号参数
I
IL
I
IO
V
OH
V
OL
I
CC
1
I
CC
2
I
CC
3
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压电平
输出低电压电平
工作电流:
随机读/写
(2,3,4)
平均供电电流
工作电流:
EDO页模式
(2,3,4)
平均供电电流
刷新电流:
RAS-只
(2,3)
平均供电电流
刷新电流:
CBR
(2,3,5)
平均供电电流
自刷新电流
测试条件
任何输入0V
V
IN
VCC
其他投入不被测= 0V
输出禁用(高阻)
0V
V
OUT
VCC
I
OH
= -5.0毫安( 5V )
I
OH
= -2.0毫安( 3.3V )
I
OL
= 4.2 MA( 5V )
I
OL
= 2.0 MA( 3.3V )
RAS , LCAS , UCAS
V
IH
商用
RAS , LCAS , UCAS
V
CC
– 0.2V
RAS , LCAS , UCAS ,
地址骑自行车,T
RC
= t
RC
(分)
RAS
= V
IL
,
LCAS , UCAS ,
自行车吨
PC
= t
PC
(分)
RAS
骑自行车,
LCAS , UCAS
V
IH
t
RC
= t
RC
(分)
RAS , LCAS , UCAS
循环
t
RC
= t
RC
(分)
自刷新模式
5V
3.3V
5V
3.3V
-50
-60
-50
-60
-50
-60
-50
-60
5V
3.3V
速度
分钟。
–5
–5
2.4
马克斯。
5
5
0.4
2
2
1
0.5
160
145
90
80
160
145
160
145
500
300
单位
µA
µA
V
V
mA
mA
mA
I
CC
4
mA
I
CC
5
mA
I
CC
6
mA
I
CCS
µA
µA
注意事项:
1. 200微秒的初始暂停,需要跟八个电后
RAS
前正确的设备更新周期( RAS - Only或CBR )
操作是有保证的。八
RAS
周期唤醒应反复随时吨
REF
刷新的要求超出。
2.取决于循环率。
3.指定值与最小周期时间,输出开获得。
4,列地址被更改一次,每次EDO页面周期。
5.启用芯片刷新和地址计数器。
集成电路解决方案公司
DR030-0A 2001年9月28日
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