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IC41LV16100AS-50T 参数 Datasheet PDF下载

IC41LV16100AS-50T图片预览
型号: IC41LV16100AS-50T
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内容描述: 1M ×16 ( 16兆位)动态RAM与EDO页模式 [1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 21 页 / 232 K
品牌: ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
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IC41C16100A/IC41C16100AS
IC41LV16100A/IC41LV16100AS
AC特性
(1,2,3,4,5,6)
(推荐工作条件,除非另有说明。 )
符号
t
RC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RAS
t
RP
t
CAS
t
CP
t
CSH
t
RCD
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
拉德
t
拉尔
t
RSH
t
RHCP
t
CLZ
t
CRP
t
OD
t
OE
t
OED
t
OEHC
t
OEP
t
RCS
t
RRH
t
RCH
t
WCH
t
WP
t
WPZ
t
RWL
t
CWL
t
WCS
参数
随机读或写周期时间
访问时间从
RAS
(6, 7)
访问时间从
CAS
(6, 8, 15)
从列地址的访问时间
(6)
RAS
脉冲宽度
RAS
预充电时间
CAS
脉冲宽度
(26)
CAS
预充电时间
(9, 25)
CAS
保持时间
(21)
RAS
to
CAS
延迟时间
(10, 20)
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址设置时间
(20)
列地址保持时间
(20)
RAS
到列地址的延迟时间
(11)
列地址为
RAS
交货时间
RAS
保持时间
(27)
RAS
从保持时间
CAS
预充电
CAS
到输出低-Z
(15, 29)
CAS
to
RAS
预充电时间
(21)
输出禁止时间
(19, 28, 29)
输出使能时间
(15, 16)
输出使能数据延迟(写)
OE
从高保持时间
CAS
OE
高脉冲宽度
READ命令设置时间
(17, 20)
读命令保持时间
(参考
RAS )
(12)
读命令保持时间
(参考
CAS )
(12, 17, 21)
写命令保持时间
(17, 27)
WRITE命令的脉冲宽度
(17)
WE
脉冲宽度禁用输出
写命令
RAS
交货时间
(17)
写命令
CAS
交货时间
(17, 21)
写命令设置时间
(14, 17, 20)
-50
分钟。马克斯。
84
50
30
8
10
38
12
0
8
0
8
10
25
8
35
0
5
0
20
5
10
5
10
0
8
8
10
13
8
0
50
13
25
10K
10K
37
25
12
12
-60
分钟。马克斯。
104
60
40
10
10
40
14
0
10
0
10
12
30
10
37
0
5
0
20
5
10
5
10
0
10
10
10
15
10
0
60
15
30
10K
10K
45
30
15
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8
集成电路解决方案公司
DR030-0A 2001年9月28日