IC41C4400x和IC41LV4400x系列
4M ×4 （ 16兆位）动态RAM
与EDO页模式
特点
•扩展数据输出（ EDO ）页面模式
访问周期
• TTL兼容的输入和输出
•刷新间隔：
- 2048次/ 32毫秒
- 4096次/ 64毫秒
•刷新模式：
RAS-只，
CAS先于RAS
（CBR） ，及隐藏
?? JEDEC标准引脚
•单电源供电：
5V ± 10％或3.3V ± 10％的
•通过字节和写字节读取操作
两
CAS
描述
该
ICSI
4400系列是4194304 ×4位高性能
CMOS动态随机存取存储器。这些设备
提供所谓EDO页面模式的加速周期访问。
EDO页面模式允许2048或4096之内的随机访问
与存取周期时间的单行短20ns的每4位
字。
这些特性使得4400系列非常适合于高
带宽的图形，数字信号处理，高性能
计算系统和外围设备的应用程序。
4400系列封装在一个24引脚300MIL SOJ和24
脚TSOP - 2
产品系列概述
产品型号
IS41C44002
IS41C44004
IS41LV44002
IS41LV44004
刷新
2K
4K
2K
4K
电压
5V ± 10%
5V ± 10%
3.3V ± 10%
3.3V ± 10%
关键时序参数
参数
RAS
访问时间（吨
RAC
)
CAS
访问时间（吨
CAC
)
列地址访问时间（t
AA
)
EDO页面模式周期时间（t
PC
)
读/写周期时间（T
RC
)
-50
50
13
25
20
84
-60
60
15
30
25
104
单位
ns
ns
ns
ns
ns
引脚配置
24引脚SOJ ， TSOP- 2
VCC
I/O0
I/O1
WE
RAS
*A11(NC)
A10
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
GND
I/O3
I/O2
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
引脚说明
A0-A11
A0-A10
I/O0-3
WE
OE
RAS
CAS
VCC
GND
NC
地址输入（ 4K刷新）
地址输入（ 2K刷新）
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
列地址选通
动力
地
无连接
* A11是NC为2K刷新设备。
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集成电路解决方案公司
DR007-0B二零零二年十月十七日
ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
