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    IC41LV44004-50J 参数 Datasheet PDF下载

    IC41LV44004-50J图片预览
    型号： IC41LV44004-50J
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4Mx4位动态RAM与EDO页面模式 [4Mx4 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
    文件页数/大小： 20 页 / 235 K
    品牌： ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
     浏览型号IC41LV44004-50J的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IC41LV44004-50J的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IC41LV44004-50J的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IC41LV44004-50J的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IC41LV44004-50J的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IC41LV44004-50J的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IC41LV44004-50J的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IC41LV44004-50J的Datasheet PDF文件第9页  
    IC41C4400x和IC41LV4400x系列
    功能框图
    OE
    WE
    CAS
    控制
    逻辑
    WE
    控制
    LOGICS
    OE
    控制
    逻辑
    OE
    CAS
    CAS
    WE
    RAS
    RAS
    时钟
    发电机
    数据I / O总线
    刷新
    计数器
    数据I / O缓冲器
    行解码器
    RAS
    列解码器
    感测放大器
    I/O0-I/O3
    存储阵列
    4,194,304 x 4
    地址
    缓冲器
    A0-A10(A11)
    真值表
    功能
    待机
    读
    写：字（早期写）
    读 - 写
    EDO页面模式读取第一个周期：
    第二个周期：
    EDO页面模式写第一个周期：
    第二个周期：
    EDO页面模式
    第一个周期：
    读 - 写
    第二个周期：
    隐藏刷新
    读
    写
    (1)
    RAS-只
    刷新
    CBR刷新
    注意：
    1.早期只写。
    RAS
    H
    L
    L
    L
    L
    L
    L
    L
    L
    L
    L→H → L
    L→H → L
    L
    ħ → L
    CAS
    H
    L
    L
    L
    ħ → L
    ħ → L
    ħ → L
    ħ → L
    ħ → L
    ħ → L
    L
    L
    H
    L
    WE
    X
    H
    L
    ħ → L
    H
    H
    L
    L
    ħ → L
    ħ → L
    H
    L
    X
    X
    OE
    X
    L
    X
    L-H
    L
    L
    X
    X
    L-H
    L-H
    L
    X
    X
    X
    地址吨
    R
    /t
    C
    X
    ROW / COL
    ROW / COL
    ROW / COL
    ROW / COL
    NA / COL
    ROW / COL
    NA / COL
    ROW / COL
    NA / COL
    ROW / COL
    ROW / COL
    ROW / NA
    X
    I / O
    高-Z
    D
    OUT
    D
    IN
    D
    OUT
    , D
    IN
    D
    OUT
    D
    OUT
    D
    IN
    D
    IN
    D
    OUT
    , D
    IN
    D
    OUT
    , D
    IN
    D
    OUT
    D
    OUT
    高-Z
    高-Z
    集成电路解决方案公司
    DR007-0B二零零二年十月十七日
    3

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