IC42S16400
1M ×16位× 4银行（ 64兆位）
同步动态RAM
特点
•单3.3V （ ± 0.3V ）电源
•高速时钟周期的时间-6： 166MHz的，
-7 ： 133MHz<3-3-3>
•完全同步操作参考时钟
上升沿
•可以断言在随机接入列
每个周期
•四银行内部通过A12 & A13 contorlled
（银行选择）
•字节由LDQM和UDQM控制
IC42S16400
•可编程的缠绕顺序（顺序/
交错）
•可编程突发长度（1， 2 ，4，8和满
页）
¥可编程
CAS
延迟（图2和3 ）
•自动预充电和预充电控制
• CBR （自动）刷新和自刷新
?? LVTTL兼容的输入和输出
• 4096刷新周期/ 64ms的
•突发终止突发停止和预充电
命令
•封装400mil 54引脚TSOP - 2和60ball （ 64M ）
VF- BGA
• Pb（铅） - 免费包可
描述
该IC42S16400是高速67,108,864位同步
异步的动态随机存取存储器，奥尔加
的发布为1,048,576 ×16× 4 （字X位x行）
分别。
同步DRAM的实现的高速数据
传输采用流水线架构和时钟
频率高达166MHz的为-6 。所有的输入和输出是
与clock.The的上升沿同步
同步DRAM与低压兼容
TTL （ LVTTL ）。这些产品被包装在54针
TSOP - 2和60ball （ 64M ） VF -BGA 。
销刀豆网络gurations
54引脚TSOP- 2
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
VDD
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
VSS
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 ©版权所有2000年，集成电路解决方案公司
2
集成电路解决方案公司
DR034-0E 2003年12月2日
ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
