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    IC42S16400-6T 参数 Datasheet PDF下载

    IC42S16400-6T图片预览
    型号： IC42S16400-6T
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 1米x 16Bit的×4银行（ 64兆位） SDRAM [1M x 16Bit x 4 Banks (64-MBIT) SDRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
    文件页数/大小： 68 页 / 1091 K
    品牌： ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
     浏览型号IC42S16400-6T的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IC42S16400-6T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IC42S16400-6T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IC42S16400-6T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IC42S16400-6T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IC42S16400-6T的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IC42S16400-6T的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IC42S16400-6T的Datasheet PDF文件第9页  
    IC42S16400
    绝对最大额定值
    (1)
    符号
    V
    DD
    V
    DDQ
    参数
    等级
    单位
    V
    V
    V
    V
    mA
    W
    °C
    °C
    V
    I
    V
    O
    I
    O
    P
    D
    T
    选择
    T
    英镑
    电源电压（相对于V
    SS
    )
    -0.5到+4.6
    电源电压为输出（相对于V
    SSQ
    )
    -0.5到+4.6
    输入电压
    （相对于V
    SS
    )
    -0.5到V
    DD
    +0.5
    输出电压
    （相对于V
    SSQ
    )
    -1.0到V
    DDQ
    +0.5
    短路输出电流
    50
    功耗（
    T
    A
    = 25 °C)
    1
    工作温度
    储存温度
    0至+70
    -65到+150
    注意事项：
    1.暴露器件的应力超过上述绝对最大额定值可能会导致永久性的
    损害。该装置不意味着在所述的范围之外的条件下进行操作
    本说明书中的操作部。长期在绝对最大额定值条件下，其
    期间可能会影响器件的可靠性。
    DC推荐工作条件
    (
    在T
    A
    = 0至+ 70 ° C除非另有说明）
    符号
    V
    DD
    V
    DDQ
    V
    IH
    V
    IL
    参数
    电源电压
    电源电压DQ
    高电平输入电压（所有输入）
    低电平输入电压（所有输入）
    分钟。
    3.0
    3.0
    2.0
    -0.3
    典型值。
    3.3
    3.3
    —
    —
    马克斯。
    3.6
    3.6
    V
    DD
    + 0.3
    +0.8
    单位
    V
    V
    V
    V
    电容特性
    （在T
    A
    = 0〜 70℃ ，V
    DD
    = V
    DDQ
    = 3.3 ± 0.3V, V
    SS
    = V
    SSQ
    = 0V时，除非另有说明）
    符号
    C
    IN
    C
    CLK
    C
    I
    /
    O
    参数
    输入电容，地址&控制引脚
    I
    NPUT电容， CLK引脚
    分钟。
    2.5
    2.5
    4.0
    马克斯。
    3.8
    3.5
    6.5
    单位
    pF
    pF
    pF
    数据输入/输出电容
    集成电路解决方案公司
    DR034-0E 2003年12月2日
    5

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