IC42S32400
IC42S32400L
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CLK
DQM
命令
NOP
读了
NOP
NOP
NOP
NOP
写B
NOP
NOP
DQ的
DOUT一
必须是高阻前
写命令
DINB 0
DINB 1
DINB 2
: "H"或"L"
读取写入间隔(突发长度= 4 , CAS#延迟= 3 )
T0
CLK
DQM
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
1间隔的Clk
命令
NOP
NOP
班卡
ACTIVAT ê
NOP
读了
WRITEA
NOP
NOP
NOP
CAS #延迟= 2
TCK2 ,部门宿舍
: "H"或"L"
DIN A0
DIN A1
DIN A2
DIN A3
读取写入间隔(突发长度= 4 , CAS#延迟= 2 )
T0
CLK
DQM
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
命令
CAS #延迟= 2
吨CK2 ,
TCK2 ,部门宿舍
DQ的
NOP
NOP
读了
NOP
NOP
WRITEB
NOP
NOP
NOP
DIN B0
DIN B1
DIN B2
DIN B3
: "H"或"L"
读取写入间隔(突发长度= 4 , CAS#延迟= 2 )
爆没有自动预充电功能的读取可以通过BankPrecharge /中断
PrechargeAll命令相同bank.The下图显示的最佳时间
BankPrecharge / PrechargeAll命令在不同的CAS #延迟发出。
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集成电路解决方案公司
DR038-0C 2005年2月1日