IC42S32400
IC42S32400L
T0
CLK
命令
NOP
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
WRITEA
WRITEB
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
1间隔的Clk
DQ的
DIN A0
DIN B0
DIN B1
DIN B2
DIN B3
写是写中断（突发长度= 4 ， CAS＃延迟= 2,3 ）
读命令是不中断的自动预充电功能的写突发后，应发出一个周期
时钟边沿，其中最后的数据接元件是registered.In为了避免数据冲突，输入数据必须
从第一读数据之前的至少一个时钟周期出现在输出的DQ除去（参照
下图）。一旦Read指令是记录的，数据输入将被忽略，并且写将不会
执行。
T0
CLK
命令
NOP
WRITEA
阅读B
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CAS ＃延迟= 2
吨CK2 ， DQ的
CAS＃延迟= 3
吨CK3 ， DQ的
DIN A0
不在乎
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
DIN A0
不在乎
不在乎
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
输入数据的写入被屏蔽。
二正
输入的数据必须从所述的DQ中的至少一个时钟被删除
循环读取数据之前出现在输出端，以避免
数据争用。
写了一个读取中断（突发长度= 4 ， CAS＃延迟= 2,3 ）
该BankPrecharge / PrechargeAll命令中断写突发无自动预充电功能
应发出
m
在这最后一个数据项的元素被登记在时钟沿之后的周期，其中
m
等于tWR的/
TCK向上舍入到下一个整数number.In此外， DQM信号必须被用于掩盖输入数据，开始
与时钟边沿之后的最后的数据元素中，并与时钟沿结束其上BankPrecharge /
PrechargeAll输入命令（参见下图） 。
T0
CLK
T1
T2
T3
T4
T5
T6
DQM
吨RP
命令
写
NOP
预充电
NOP
NOP
激活
NOP
地址
银行
COL ñ
吨WR
DIN
n
BANK （S ）
ROW
DQ
n+1
：不会在意
注：
DQMs可以保持低的在这个例子中，如果的写入脉冲串的长度是1或2 。
写入预充电
集成电路解决方案公司
DR038-0C 2005年2月1日
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ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
