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IC61LV6416-12B 参数 Datasheet PDF下载

IC61LV6416-12B图片预览
型号: IC61LV6416-12B
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内容描述: 64K ×16海特高速SRAM与3.3V [64K x 16 Hight Speed SRAM with 3.3V]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 97 K
品牌: ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
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IC61LV6416
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
储存温度
功耗
直流输出电流(低)
价值
-0.5〜 VCC + 0.5
-65到+150
1.5
20
单位
V
°C
W
mA
注意:
1.应力大于那些在上市
绝对最大额定值可能
造成永久性伤害
装置。这是一个值仅为
该装置的功能操作
这些或以上的任何其他条件
在操作这些节表示
本规范的系统蒸发散是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能
影响可靠性。
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
VCC
3.3V ± 10%
3.3V ± 10%
DC电气特性
(以上经营范围)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
V
IN
V
CC
GND
V
OUT
V
CC
,输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
测试条件
V
CC
=最小值,我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值,我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
2
–0.3
–2
-5
–2
-5
马克斯。
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
2
5
2
5
单位
V
V
V
V
µA
µA
注意事项:
1. V
IL
(分) = -2.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
2. Vcc操作范围为8 ns为3.3V + 10 %, - 5 % 。
电源特性
(1)
(以上经营范围)
符号
I
CC
I
SB
1
参数
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
( TTL输入)
CMOS待机
电流( CMOS输入)
测试条件
V
CC
=最大,
I
OUT
= 0 mA时,女= F
最大
V
CC
=最大,
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
V
IH
, f = 0
V
CC
=最大,
CE
V
CC
– 0.2V,
V
IN
V
CC
- 0.2V ,或
V
IN
0.2V , F = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-8 NS
分钟。马克斯。
220
230
30
40
10
15
-10 NS
分钟。马克斯。
200
210
30
40
10
15
-12 NS
分钟。马克斯。
180
190
30
40
10
15
-15 NS
分钟。马克斯。
180
190
30
40
10
15
单位
mA
mA
I
SB
2
mA
注意:
1.在f = F
最大
,地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0,表示无输入线发生变化。
4
集成电路解决方案公司
AHSR026-0A
09/12/2001