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    IC61LV6416-12B 参数 Datasheet PDF下载

    IC61LV6416-12B图片预览
    型号： IC61LV6416-12B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 64K ×16海特高速SRAM与3.3V [64K x 16 Hight Speed SRAM with 3.3V]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 9 页 / 97 K
    品牌： ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
     浏览型号IC61LV6416-12B的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IC61LV6416-12B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IC61LV6416-12B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IC61LV6416-12B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IC61LV6416-12B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IC61LV6416-12B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IC61LV6416-12B的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IC61LV6416-12B的Datasheet PDF文件第9页  
    IC61LV6416
    AC波形
    写周期号1 （我们控制）
    (1,2)
    WE
    t
    WC
    地址
    t
    SCE
    t
    HA
    CE
    t
    PWB
    LB ， UB
    t
    AW
    t
    PWE
    WE
    t
    SA
    写
    (1)
    t
    SD
    t
    HD
    D
    IN
    t
    HZWE
    t
    LZWE
    未定义
    高-Z
    未定义
    高-Z
    D
    OUT
    注意事项：
    1.写是低状态的重叠时内部产生的信号断言
    CE
    和
    WE
    输入端和至少
    中的一个
    LB
    和
    UB
    投入低状态之中。
    2.写= （ CE）
    [
    （LB） = （UB）
    ]
    （WE） 。
    8
    集成电路解决方案公司
    AHSR026-0A
    09/12/2001

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