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    IS61LV25616-8KI 参数 Datasheet PDF下载

    IS61LV25616-8KI图片预览
    型号： IS61LV25616-8KI
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256× 16高速异步静态CMOS与3.3V供电的RAM [256 X 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 10 页 / 460 K
    品牌： ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
     浏览型号IS61LV25616-8KI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IS61LV25616-8KI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IS61LV25616-8KI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IS61LV25616-8KI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IS61LV25616-8KI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IS61LV25616-8KI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IS61LV25616-8KI的Datasheet PDF文件第9页浏览型号IS61LV25616-8KI的Datasheet PDF文件第10页  
    IS61LV25616
    写周期开关特性
    (1,3)
    （以上经营范围）
    符号
    参数
    写周期时间
    CE
    撰写完
    地址建立时间
    撰写完
    从写端地址保持
    地址建立时间
    LB ， UB
    有效到结束写入的
    WE
    脉冲宽度
    数据建立到写结束
    从写端数据保持
    分钟。
    8
    7
    7
    0
    0
    7
    7
    4.5
    0
    —
    3
    -8
    马克斯。
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    4
    —
    -10
    分钟。马克斯。
    10
    8
    8
    0
    0
    8
    8
    5
    0
    —
    3
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    5
    —
    -12
    分钟。马克斯。
    12
    9
    9
    0
    0
    9
    9
    6
    0
    —
    3
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    6
    —
    -15
    分钟。马克斯。
    15
    10
    10
    0
    0
    10
    10
    7
    0
    —
    3
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    7
    —
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    t
    WC
    t
    SCE
    t
    AW
    t
    HA
    t
    SA
    t
    PWB
    t
    PWE
    t
    SD
    t
    HD
    t
    HZWE
     
    WE
    从低到高-Z输出
    t
    LZWE
     
    WE
    前高后低-Z输出
    注意事项：
    1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V和
    在图1a中指定的输出负载。
    2.测试，与图1b中的负荷。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。未经100％测试。
    3.内部写入时间由的重叠限定
    CE
    低，
    UB
    or
    磅，
    和
    WE
    低。所有信号必须在有效状态，以
    开始写的，但任何一个可以变为无效，终止写入。数据输入建立时间和保持时间都参考了
    上升或下降并因此终止了写入的信号的边沿。
    6
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