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IS61LV25616-8KI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IS61LV25616-8KI
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内容描述: 256× 16高速异步静态CMOS与3.3V供电的RAM [256 X 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 460 K
品牌: ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
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IS61LV25616
AC波形
写周期NO 。 4

(磅,
UB
控制,后端到回写)
(1,3)
t
WC
地址
地址1
t
WC
地址2

OE
t
SA
CE
!
t
HA
t
SA
t
HA
t
PWB
WORD 2
WE
t
PWB
UB , LB
WORD 1
& QUOT ;
t
LZWE
t
HZWE
D
OUT
高-Z
#
$
%
&放大器;
'



数据中,未定义
t
SD
D
IN
数据
IN
有效
t
HD
t
SD
数据
IN
有效
t
HD
注意事项:
1.内部写入时间是由重叠定义
CE
= LOW ,
UB
和/或
LB
=低,
WE
=低。所有信号必须
在有效状态开始写,但任何可以拉高终止写入。该
t

SA
,
t

HA
,
t

SD
t

HD
时机
涉及到该终止写信号的上升沿或下降沿。
2.与测试
OE
高的前最少4纳秒
WE
= LOW放置在I / O处于高阻抗状态。
3.
WE
可以在多个地址周期和低电平保持
LB , UB
引脚可以用来控制写入功能。
集成电路解决方案公司
SR040-0C
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