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IS62C1024LL-70W 参数 Datasheet PDF下载

IS62C1024LL-70W图片预览
型号: IS62C1024LL-70W
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内容描述: 128K ×8低功耗CMOS静态RAM [128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 123 K
品牌: ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
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IS62C1024LL
写周期NO 。 2(+ - ? CE2控制)
(1,2)
+-,
+-
t
WC
地址
t
SA
t
SCE1
t
HA
CE1
t
SCE2
CE2
t
AW
t
PWE
(4)
WE
t
HZWE
t
LZWE
高-Z
DOUT
数据中,未定义
t
SD
t
HD
DIN
DATA-内有效
注意事项:
1.内部写入时间是由重叠定义
CE1
LOW , HIGH CE2和
WE
低。所有信号必须在有效状态,以
开始写的,但任何一个可以变为无效,终止写入。数据输入建立时间和保持时间都参考了
上升或下降并因此终止了写入的信号的边沿。
2. I / O将承担高阻状态,如果
OE
= V
IH
.
数据保留开关特性
符号
参数
VCC为数据保留
数据保持电流
数据保存时间设置
恢复时间
测试条件
看到数据保存波形
VCC = 3.0V ,
CE1
& GT ; VCC - 0.2V
VCC = 3.0V ,
CE2
& LT ; 0.2V
看到数据保存波形
看到数据保存波形
COM 。
COM 。
分钟。
2.0
—
—
0
马克斯。
5.5
10

10

—
—
单位
V
µA
µA
ns
ms
V
DR
I
DR
t
SDR
t
RDR
5
注意事项:
1. I
DR
最高3
µ
一个@ T
A
0
o
C至40
o
C.
数据保留WAVE.ORM ( + - 控制)
+-
t
SDR
V
CC
数据保持方式
t
RDR
5.0V
3.0V
V
DR
CE1
V
CC
- 0.2V
CE1
GND
集成电路解决方案公司
SR028-0C
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