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IS62C1024-70WI 参数 Datasheet PDF下载

IS62C1024-70WI图片预览
型号: IS62C1024-70WI
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内容描述: 128K ×8高速CMOS静态RAM [128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 425 K
品牌: ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
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IS62C1024
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流(低)
价值
-0.5到+7.0
-10至+85
-65到+150
1.5
20
单位
V
°C
°C
W
mA
注意事项:
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,
长时间会影响其可靠性。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项:
1.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
2.测试条件:T已
A
= 25 ° C,F = 1MHz时, VCC = 5.0V 。
DC电气特性
(以上经营范围)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
测试条件
V
CC
=最小值,我
OH
= -1.0毫安
V
CC
=最小值,我
OL
= 2.1毫安
分钟。
2.4
2.2
–0.3
–5
–10
–5
–10
马克斯。
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
5
10
5
10
单位
V
V
V
V
µA
µA
GND
V
IN
V
CC
GND
V
OUT
V
CC
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
注意事项:
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电源特性
(1)
(以上经营范围)
符号参数
I
CC
I
SB
1
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
( TTL输入)
CMOS待机
电流( CMOS输入)
测试条件
V
CC
=最大,
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时,女= F
最大
COM 。
IND 。
-35 NS
分钟。马克斯。
150
160
40
60
30
40
-45 NS
分钟。马克斯。
135
145
40
60
30
40
-55 NS
分钟。马克斯。
120
130
40
60
30
40
-70 NS
分钟。马克斯。
90
100
40
60
30
40
单位
mA
mA
V
CC
=最大,
COM 。
V
IN
= V
IH
或V
IL
,
CE1
V
IH
印第安纳州。
或CE2
V
IL
, f = 0
V
CC
=最大,
COM 。
CE1
V
CC
– 0.2V,
IND 。
CE2
0.2V, V
IN
& GT ; V
CC
– 0.2V,
或V
IN
0.2V , F = 0
I
SB
2
mA
注意事项:
1.在f = F
最大
,地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0,表示无输入线发生变化。
集成电路解决方案公司
SR016-0B
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