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IS62C1024-70WI 参数 Datasheet PDF下载

IS62C1024-70WI图片预览
型号: IS62C1024-70WI
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内容描述: 128K ×8高速CMOS静态RAM [128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 425 K
品牌: ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
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IS62C1024
写周期开关特性
(1,3)
(以上经营范围,标准和低
电源)
符号
参数
写周期时间
CE1
撰写完
CE2撰写完
地址建立时间撰写完
从写端地址保持
地址建立时间
WE
脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
-35
分钟。马克斯。
35
25
25
25
0
0
25
20
0
3
10
-45
分钟。马克斯。
45
35
35
35
0
0
35
25
0
5
15
-55
分钟。马克斯。
55
50
50
45
0
0
40
25
0
5
20
-70
分钟。马克斯。
70
60
60
60
0
0
50
30
0
5
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
WC
t
SCE
1
t
SCE
2
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
(4)
t
SD
t
HD
t
HZWE
(2)
WE
从低到高-Z输出
t
LZWE
(2)
WE
前高后低-Z输出
注意事项:
1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间,定时1.5V的参考电平, 0输入脉冲电平为3.0V
和指定的图1a的输出负载。
2.测试,与图1b中的负荷。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。未经100%测试。
3.内部写入时间由的重叠限定
CE1
LOW , HIGH CE2和
WE
低。所有信号必须在有效状态,以
开始写的,但任何一个可以变为无效,终止写入。数据输入建立时间和保持时间都参考了
上升或下降并因此终止了写入的信号的边沿。
4.与测试
OE
高。
AC波形
WE
写周期号1 (我们控制)
(1,2)
t
WC
地址
有效的地址
t
SA
CE
t
SCE
t
HA
WE
t
AW
t
PWE1
t
PWE2
t
HZWE
t
LZWE
高-Z
D
OUT
数据中,未定义
t
SD
D
IN
t
HD
数据
IN
有效
6
集成电路解决方案公司
SR016-0B