ICS601-01
L
OW
P
HASE
N
OISE
C
LOCK
M
ULTIPLIER
实现低相位噪声
图1示出了在125 MHz的系统的典型相位噪声测量。 Therea几个简单的步骤
可以采取从ICS601-01实现这些水平相位噪声。在VDD将变化
增加HASE噪声，所以有在该装置的稳定，低噪声的电源电压是重要的。利用
与并联0.01μF 0.1μF的去耦电容器。有这些电容尽量靠近，因为它是重要的
可以将ICS601-01电源引脚。
禁用REFOUT时钟也是实现低相位噪声很重要;实验室试验已经表明，这种
可以由多达10 dBc的/ Hz的降低相位噪声。
0
-20
相位噪声（ dBc的/赫兹）
-40
-60
-80
-100
-120
-140
1.00E
+01
1.00E
+02
1.00E
+03
1.00E
+04
1.00E
+05
1.00E
+06
1.00E+07
O
ffset fromC
arrier （H
z)
IC图1. N相
OISE
S601-01为125微米Z输出，25米ž晶振输入。
H
H
VD = 3.3 V ，R UTdisabled 。
D
EFO
外部元件/晶体选择
该ICS601-01需要的外部元件正常工作的最小数目。脱钩
0.01μF和0.1μF的电容应连接在VDD和GND之间，尽量靠近部分作为
可能。也可以使用为每个时钟输出33Ω的串联端接电阻器。晶体必须是
连接成靠近芯片越好。水晶应该是基本模式，并联谐振。办
不使用第三个泛音。对于精确调整使用晶体时，电容应beconnected从引脚X1
到地和X2接地。在一般情况下，这些电容的值由下式给出
其中， CL为晶体负载电容：水晶瓶盖（PF ） = （ CL - 5 ）× 2，因此，对于具有16 pF负载晶体
电容， 2 22 pF的帽都可以使用。对于任何给定电路板布局， ICS可以测量板
电容和推荐的精确电容值来使用。
MDS 601-01 L
在TE碎电路系统
●
3
525镭CE街，加利福尼亚州圣何塞， 9512 6
●
修订版111204
电话：（ 08 4 ） 297-1 201
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W W瓦特I C S T 。 C 0米
ICS [ INTEGRATED CIRCUIT SYSTEMS ]
