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ICS650R-21I 参数 Datasheet PDF下载

ICS650R-21I图片预览
型号: ICS650R-21I
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内容描述: 系统外设时钟源 [System Peripheral Clock Source]
分类和应用: 时钟
文件页数/大小: 4 页 / 66 K
品牌: ICS [ INTEGRATED CIRCUIT SYSTEMS ]
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初步信息
ICS650-21
系统外设时钟源
最低
典型
最大
7
VDD+0.5
70
260
150
5.5
0.8
0.4
50
30
±50
5
25.000
单位
V
V
C
C
C
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
pF
兆赫
PPM
ns
ns
%
%
ps
ps
ps
电气规格
参数
电源电压(VDD)
输入和时钟输出
工作环境温度
焊接温度
储存温度
工作电压(VDD)
输入高电压, VIH
输入低电压, VIL
输出高电压, VOH
输出低电压, VOL
输出高电压, VOH , VDD = 3.3V或5V
工作电源电流, IDD ,在5V
工作电源电流, IDD ,在3.3V
短路电流, VDD = 3.3
输入电容
输入晶体或时钟频率
输出时钟精度(综合误差)
输出时钟上升时间
输出时钟下降时间
输出时钟占空比, UCLCK
输出时钟占空比, PCLCK , ACLCK
一个西格玛抖动,但ACLK
一个西格玛抖动, ACLK
绝对时钟周期抖动PCLK , UCLK , 20M
条件
参考GND
参考GND
10秒以内
绝对最大额定值(注1 )
-0.5
0
-65
3.0
2
直流特性( VDD = 3.3V或5V ,除非另有说明)
选择输入, OE
选择输入, OE
VDD = 3.3V , IOH = -8mA
2.4
VDD = 3.3V , IOL = 8毫安
IOH=-8mA
VDD-0.4
空载时,请注意2
空载时,请注意2
每路输出
除了X1
交流特性( VDD = 3.3V或5V ,除非另有说明)
所有时钟
0.8〜 2.0V
2.0〜 0.8V
在VDD / 2
在VDD / 2
1
1.5
1.5
60
55
40
45
50
50
75
120
- 500
500
注意事项:
1.强调超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。经久
置身于上述的操作限制,但下面的绝对最高配置水平可能影响器件的可靠性。
2.所有时钟的最高频率。
外部元件
该ICS650需要的外部元件正常工作的最小数目。脱钩
0.1μF的电容应连接在VDD和GND之间(引脚4和6 ,并且销16和14) ,
尽量靠近芯片越好。也可以使用为每个时钟输出33Ω的串联端接电阻器。该
25.000 MHz晶体必须连接尽可能靠近芯片越好。水晶应该是一个基本的
模式,并联谐振,为30ppm或更高(满足以太网规范)。水晶电容应
从销X1到地面和X2与地相连。这些电容的值由给定的
下面的等式,其中C
L
是晶体负载电容:水晶瓶盖(PF ) = (C
L
-12 )× 2,因此,对于一个
晶体具有16pF的负载电容, 2为8pF帽应该被使用。如果一个时钟输入时,把它打入X1
离开X2悬空。
MDS 650-21一
3
修订版010301
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