集成
电路
系统公司
ICS8523I-03
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
D
。微分
-
TO
-LVHSTL ˚F
ANOUT
B
UFFER
4.6V
-0.5V到V
CC
+ 0.5V
50mA
100mA
73.2 ℃/ W（ 0 LFPM ）
-65 ℃〜150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
CC
输入，V
I
输出，我
O
连续电流
浪涌电流
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC ç
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
测试条件
最低
3.135
1.6
典型
3.3
1.8
最大
3.465
2.0
55
单位
V
V
mA
T
ABLE
4B 。 LVCMOS / LVTTL DC ç
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
CLK_EN ， CLK_SEL
CLK_EN ， CLK_SEL
CLK_EN
CLK_SEL
CLK_EN
CLK_SEL
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
-150
-5
测试条件
最低
2
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
0.8
5
150
单位
V
V
µA
µA
µA
µA
T
ABLE
4C 。 ð
。微分
DC ç
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
I
IH
I
IL
V
PP
参数
输入高电流
输入低电平电流
nCLK0 ， nCLK1
CLK0 ， CLK1
nCLK0 ， nCLK1
CLK0 ， CLK1
测试条件
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
-150
-5
最低
典型
最大
5
150
单位
µA
µA
µA
µA
V
V
峰 - 峰值输入电压
0.15
1.3
共模输入电压;
0.5
V
DD
- 0.85
V
CMR
注1,2
注1 ：对于单端应用程序的最大输入电压为CLK0 ， nCLK0和CLK1 ， nCLK1为V
DD
+ 0.3V.
注2 ：共模电压定义为V
IH
.
8523AGI-03
www.icst.com/products/hiperclocks.html
4
REV 。一2004年10月5日
ICS [ INTEGRATED CIRCUIT SYSTEMS ]
