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PCF8594C-2P 参数 Datasheet PDF下载

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型号: PCF8594C-2P
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内容描述: PCF85xxC - 2家族256至1024 ⅴ 8位CMOS EEPROM的具有I2C总线接口 [PCF85xxC-2 family 256 to 1024 ⅴ 8-bit CMOS EEPROMs with I2C-bus interface]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管PC可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
文件页数/大小: 24 页 / 181 K
品牌: ICS [ INTEGRATED CIRCUIT SYSTEMS ]
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
1
特点
PCF85xxC -2家族
通过使用冗余存储代码可靠性高
耐力:百万擦除/写( E / W)的周期为
T
AMB
= 22
°C
10年非易失性数据保留时间
引脚和地址兼容: PCF8570 , PCF8571 ,
PCF8572和PCF8581 。
2
概述
低功耗CMOS :
- 最大工作电流:
2.0毫安( PCF8582C - 2 )
2.5毫安( PCF8594C - 2 )
4.0毫安( PCF8598C - 2 )
- 最大待机电流10
µA
(在6.0 V)
典型的4
µA
非易失性存储器:
- 2千位组织为256
×
8位( PCF8582C -2)的
- 4千位组织为512
×
8位( PCF8594C -2)的
- 8千位组织1024
×
8位( PCF8598C -2)的
单电源与全面运作下,以2.5 V
片上电压倍增器
串行输入/输出I
2
C总线
写操作:
- 字节写模式
• 8字节页写模式
(最大限度地降低每字节写入总时间)
读操作:
•连续读
- 随机读取
内部定时器写(无需外部元件)
上电复位
3
快速参考数据
符号
V
DD
I
DDR
参数
电源电压
电源电流读
该PCF85xxC -2是一个家族的浮动栅的电
可擦可编程只读存储器
存储器(EEPROM )与2,4和8千位(256 , 512和
1024
×
8位) 。通过使用内部冗余存储代码
它是容错的,以单个比特错误。此功能
极大地增加了可靠性相比
传统的EEPROM 。功耗很低,由于
全CMOS技术的使用。编程电压
片上生成,使用一个电压倍增器。
作为数据字节被接收到并通过串行发送
I
2
C总线,采用8引脚封装就足够了。最多
8 PCF85xxC -2设备可以连接到所述
I
2
C总线。片选是由三个地址来完成
输入端( A0,A1和A2)。
对E / W周期的时间进行内部,因此没有
外部元件。引脚7 ( PTC )必须
连接在V
DD
或保持开路。有一个
使用外部时钟定时的长度的选项
东/西循环。
条件
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
分钟。
2.5
马克斯。
6.0
60
200
0.6
2.0
0.8
2.5
1.0
4.0
3.5
10
单位
V
µA
µA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
µA
µA
I
DDW
电源电流东/西
PCF8582C-2
PCF8594C-2
PCF8598C-2
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
I
DD ( STB )
待机电源电流
1997年2月13日
3