CMOS静态RAM
16K （ 2K ×8位）
集成设备技术有限公司
IDT6116SA
IDT6116LA
产品特点：
•高速访问和片选时间
- 军事： 20/25 /35 / 55分之45 / 70 / 120分之90 /为150ns （最大值）
- 商业： 15/20 /25/ 35 /为45nS （最大）
•低功耗
•电池备份操作
- 2V的数据保持电压（LA版本）
•拥有先进的CMOS高性能生产
技术
• CMOS工艺几乎消除了α粒子
软错误率
•输入和输出直接TTL兼容
•静态操作：不需要时钟或刷新
•有陶瓷和塑料的24引脚DIP ， 24引脚薄型
DIP和24引脚SOIC和24引脚SOJ
•军用产品符合MIL -STD - 833 ， B类
描述：
该IDT6116SA / LA是16,384位高速静态RAM
组织为2K X 8.采用IDT制造的高性
曼斯，高可靠性的CMOS技术。
存取时间快15ns的都可用。该电路还
提供了降低功耗的待机模式。当
CS
变为高电平时，
该电路将自动进入，并保持在一个备用
功率模式时，只要
CS
仍然很高。此功能
提供显著的系统级功耗和散热成本。
低功耗（ LA ）的版本还提供了一个备用电池数据
保持能力，其中的电路一般只消耗
1μW至4μW经营过一个2V的电池。
所有的输入和IDT6116SA / LA的输出与TTL
兼容。全静态异步电路时，要求还
荷兰国际集团无时钟或刷新操作。
该IDT6116SA / LA封装采用24引脚600和300万
塑料或陶瓷DIP和24引脚的鸥翼SOIC和24
-lead J-弯SOJ提供高板级封装密度
关系。
军工级产品符合生产的
MIL -STD - 883 ， B类的最新版本，使之成为理想的
适用于军用温度要求苛刻的应用程序的
最高级别的性能和可靠性。
功能框图
A
0
V
CC
地址
解码器
A
10
128 X 128
内存
ARRAY
GND
I / O
0
输入
数据
电路
I / O
7
I / O控制
CS
OE
WE
控制
电路
3089 DRW 01
IDT标志是集成设备技术aregistered商标。
军用和商用温度范围
©1996
集成设备技术有限公司
有关最新信息，请联系IDT的网站www.idt.com或传真点播在408-492-8391 。
1996年3月
3089/1
5.1
1
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
