IDT7015S/L
HIGH -SPEED 8K ×9双口静态RAM
军事，工业和商业温度范围
描述：
的IDT7015是一种高速8K ×9双端口静态RAM 。该
IDT7015被设计为用作一个独立的双端口RAM或作为
相结合的主/从双口RAM为18位或更多的字
系统。 18-在使用IDT主/从双口RAM的方法
位或者更宽的存储器系统的应用程序的结果在全速无差错
操作而不需要额外的分立逻辑。
该器件提供了独立控制两个独立的端口，
地址和I / O引脚，允许自主，异步访问
读或写操作的任何位置在存储器中。自动断电
功能通过控制
CE
允许片上电路，每个端口的输入
非常低的待机功耗模式。
采用IDT ？的CMOS高性能技术制造，这些
设备通常对功耗仅为750MW运行。
的IDT7015封装在陶瓷68针的PGA ，在64脚PLCC
和一个80 pinTQFP （薄型四方扁平封装） 。军工级产品
制造符合MIL- PRF-的最新版本
38535 QML ，使得它非常适合军事应用的温度
苛刻的性能和可靠性的最高水平。
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
11/16/01
指数
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
GND
I / O
6L
I / O
7L
V
CC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
CC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
I / O
1L
I / O
0L
I / O
8L
OE
L
读/写
L
SEM
L
CE
L
N / C
N / C
V
CC
A
12L
A
11L
A
10L
A
9L
A
8L
A
7L
A
6L
9
8
7
6 5
4
3
2
1 68 67 66 65 64 63 62 61
60
59
58
57
56
IDT7015J
J68-1
(4)
68引脚PLCC
顶视图
(5)
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
26
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
INT
L
忙
L
GND
M / S
忙
R
INT
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
2954 DRW 02
,
I / O
7R
I / O
8R
OE
R
读/写
R
SEM
R
CE
R
N / C
N / C
GND
A
12R
A
11R
A
10R
A
9R
A
8R
A
7R
A
6R
A
5R
引脚名称
左侧端口
CE
L
读/写
L
OE
L
A
0L
- A
12L
I / O
0L
- I / O
8L
SEM
L
INT
L
忙
L
CE
R
读/写
R
OE
R
A
0R
- A
12R
I / O
0R
- I / O
8R
SEM
R
INT
R
忙
R
M / S
V
CC
GND
正确的端口
芯片使能
读/写使能
OUTPUT ENABLE
地址
数据输入/输出
信号灯启用
中断标志
忙标志
主机或从机选择
动力
地
2954 TBL 01
注意事项：
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.包体约为0.95英寸x 0.95英寸x 0.17英寸
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不意味着部分标记的方向。
名字
6.42
2
2006年4月4日
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
