IDT7015S/L
HIGH -SPEED 8K ×9双口静态RAM
军事，工业和商业温度范围
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的，因为TQFP封装）
参数
输入电容
输出电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
2954 TBL 07
注意事项：
1.该参数是由器件特性决定的，但并不
生产测试。
2. 3DV引用插电容时的输入和
输出信号转换为0V至3V或3V至0V 。
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
7015S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V至V
CC
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= + 4毫安
I
OH
= -4mA
分钟。
___
7015L
马克斯。
10
10
0.4
___
分钟。
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
µA
µA
V
V
2954 TBL 08
___
___
___
___
2.4
2.4
注意：
1.在Vcc < 2.0V ，输入泄漏是不确定的。
输出负载和
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
(1)
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
为3ns最大。
1.5V
1.5V
图1和图2
2954 TBL 09
5V
893Ω
数据
OUT
忙
INT
347Ω
30pF
数据
OUT
347Ω
5V
893Ω
5pF
*
2954 DRW 05
2954 DRW 06
图1. AC输出负载测试
图2.输出负载测试
（对于T
LZ
, t
HZ
, t
WZ
, t
OW
)
*包括范围和夹具。
6.42
5
2006年4月4日
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
