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IDT7024S35J 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IDT7024S35J
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内容描述: 高速4K ×16双口静态RAM [HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 20 页 / 291 K
品牌: IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
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IDT7024S/L
高速4K ×16双口静态RAM
军用和商用温度范围
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
为5ns最大。
1.5V
1.5V
图1和图2
2740 TBL 12
5V
1250Ω
数据
OUT
5V
1250Ω
数据
OUT
INT
775Ω
30pF
775Ω
5pF
2740 DRW 06
图1. AC输出负载测试
图2.输出负载测试
(对于TLZ ,太赫兹, TWZ , TOW)
包括范围和夹具
AC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(4)
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACE
t
ABE
t
AOE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
PU
t
PD
t
SOP
t
SAA
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
字节使能存取时间
(3)
(3)
参数
IDT7024X15
Com'l 。只
分钟。马克斯。
15
3
3
0
10
15
15
15
10
10
15
15
IDT7024X17
Com'l 。只
分钟。
马克斯。
17
3
3
0
10
17
17
17
10
10
17
17
IDT7024X20
分钟。
20
3
3
0
10
马克斯。
20
20
20
12
12
20
20
IDT7024X25
分钟。
25
3
3
0
10
马克斯。
25
25
25
13
15
25
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
输出低-Z时间
(1, 2)
输出高阻时间
(1, 2)
芯片使能上电时间
(1,2)
芯片禁用断电时间
(1,2)
信号标志更新脉冲(
OE
or
SEM
)
信号灯地址访问
(3)
IDT7024X35
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACE
t
ABE
t
AOE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
PU
t
PD
t
SOP
t
SAA
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
(3)
字节使能存取时间
(3)
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
输出低-Z时间
(1, 2)
IDT7024X55
分钟。
55
3
3
0
15
马克斯。
55
55
55
30
25
50
55
参数
分钟。
35
3
3
0
15
马克斯。
35
35
35
20
15
35
35
IDT7024X70
米尔。只
分钟。
马克斯。
70
3
3
0
15
70
70
70
35
30
50
70
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2740 TBL 13
输出高阻时间
(1, 2)
芯片使能上电时间
(1,2)
芯片禁用断电时间
(1,2)
信号标志更新脉冲(
OE
or
SEM
)
信号灯地址访问
(3)
注意事项:
1.转换测量
±500mV
从低或高阻抗电压与输出测试负载(图2)。
2.这个参数是由设备特性保证,但未经生产测试。
3.要访问的RAM ,
CE
= V
IL
,
UB
or
LB
= V
IL
SEM
=V
IH
。要访问信号量,
CE
= V
IH
or
UB
&放大器;
LB
= V
IH和
SEM
=V
IL 。
4. "X"部分数字表示额定功率(S或L ) 。
6.15
7