IDT7025S/L
高速8K ×16双口静态RAM
军用和商用温度范围
DC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
IDT7025S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V至V
CC
分钟。
—
—
—
2.4
马克斯。
10
10
0.4
—
IDT7025L
分钟。
—
—
—
2.4
马克斯。
5
5
0.4
—
单位
µA
µA
V
V
2683 TBL 08
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= 4毫安
I
OH
= -4mA
注意：
1.在Vcc ＆ LT ; 2.0V输入泄漏是不确定的。
DC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(1)
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
符号
参数
工作动态
I
CC
当前
（两个端口均有效）
TEST
条件
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
=V
IL
，输出打开
SEM
= V
IH
f = f
MAX(3)
7025X15
7025X17
7025X20
Com'l 。只
Com'l 。只
(2)
版的典型。马克斯。典型值。
(2)
马克斯。典型值。
(2)
马克斯。
MIL S
—
—
—
—
160
370
L
—
—
—
—
160
320
COM S
L
米尔
S
L
170
170
—
—
20
20
—
—
105
105
—
—
1.0
0.2
—
—
100
100
310
260
—
—
60
50
—
—
190
160
—
—
15
5
—
—
170
140
170
170
—
—
20
20
—
—
105
105
—
—
1.0
0.2
—
—
100
100
310
260
—
—
60
50
—
—
190
160
—
—
15
5
—
—
170
140
160
160
20
20
20
20
95
95
95
95
1.0
0.2
1.0
0.2
90
90
90
90
290
240
90
70
60
50
240
210
180
150
30
10
15
5
225
200
155
130
7025X25
典型值。
(2)
MAX 。 UNIT
155
340
mA
155
280
155
155
16
16
16
16
90
90
90
90
1.0
0.2
1.0
0.2
85
85
85
85
265
220
80
65
60
50
215
180
170
140
30
10
15
5
200
170
145
120
mA
mA
mA
mA
I
SB1
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
CE
R
=
CE
L
= V
IH
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
f = f
MAX(3)
COM S
L
米尔
S
L
COM S
L
米尔
S
L
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL
电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
=V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
=V
IL(5)
有源端口输出打开
f = f
MAX(3)
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
I
SB3
全待机电流两个端口
CE
L
和
（这两个端口 - 所有
CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
CMOS电平输入）V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
COM S
(4)
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
L
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
I
SB4
全待机电流
（一个端口 - 所有
CMOS电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
< 0.2
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
(5)
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ，主动港
输出打开，
f = f
MAX(3)
米尔
S
L
COM S
L
注意事项：
2683 TBL 09
1. "X"部分数字表示额定功率（S或L ） 。
2. V
CC
= 5V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。 ICC DC
=
120毫安（典型值）。
3.在f = F
最大
,
地址和I / O'
S
被循环以1 /吨的最高频率的读周期
RC
，并用GND的输入电平的“AC测试条件”到3V 。
4， F = 0表示无地址或控制线变化。
5.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
6.16
5
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
