IDT7025S/L
高速8K ×16双口静态RAM
军用和商用温度范围
DC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(1)
（续）
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
7025X35
符号
I
CC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
I
SB1
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL
电平输入）
I
SB3
全待机电流
（这两个端口 - 所有
CMOS电平输入）
TEST
条件
VERSION
米尔。
Com'l 。
米尔。
Com'l 。
米尔。
Com'l 。
米尔。
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
典型值。
(2)
150
150
150
150
13
13
13
13
85
85
85
85
1.0
0.2
1.0
0.2
80
80
80
80
马克斯。
300
250
250
210
80
65
60
50
190
160
155
130
30
10
15
5
175
150
135
110
7025X55
典型值。
(2)
150
150
150
150
13
13
13
13
85
85
85
85
1.0
0.2
1.0
0.2
80
80
80
80
7025X70
米尔。只
马克斯。典型值。
(2)
MAX 。 UNIT
300
250
250
210
80
65
60
50
190
160
155
130
30
10
15
5
175
150
135
110
140
140
—
—
10
10
—
—
80
80
—
—
1.0
0.2
—
—
75
75
—
—
300
250
—
—
80
65
—
—
190
160
—
—
30
10
—
—
175
150
—
—
mA
mA
mA
mA
mA
CE
= V
IL
，输出打开
SEM
= V
IH
f = f
MAX(3)
CE
L
=
CE
R
= V
IH
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
f = f
MAX(3)
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
=V
IL和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
=V
IH(5)
有源端口输出打开
f = f
最大
(3)
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
这两个端口
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
Com'l 。
(4)
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
I
SB4
全待机电流
（一个端口 - 所有
CMOS电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
< 0.2
米尔。
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
(5)
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
Com'l 。
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
有源输出端口打开，
f = f
MAX(3)
注意事项：
2683 TBL 10
1. "X"部分数字表示额定功率（S或L ） 。
2. V
CC
= 5V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。
3.在f = F
最大
,
地址和I / O'
S
被循环以1 / tRC的最高频率的读周期，以及使用接地的输入电平为3V的“交流测试条件” 。
4， F = 0表示无地址或控制线变化。
5.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
数据保持特性在所有温度范围（L版本）
(V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
- 0.2V)
(4)
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
(3)
(3)
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
测试条件
V
CC
= 2V
CE
分钟。
2.0
典型值。
(1)
—
100
100
—
—
马克斯。
—
4000
1500
—
—
单位
V
µA
ns
ns
2683 TBL 11
＆ GT ; V
HC
＆ GT ; V
HC
米尔。
Com'l 。
—
—
0
t
RC(2)
V
IN
＆ GT ; V
HC
或< V
LC
SEM
注意事项：
1. T
A
= + 25 ° C，V
CC
= 2V ，并通过鉴定，但不生产测试。
2. t
RC
=读周期时间
3.此参数由器件特性保证，但未经生产测试。
4
.
在Vcc < 2.0V ，输入泄漏没有被定义。
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
4.5V
t
CDR
V
DR
≥
2V
V
DR
4.5V
t
R
V
IH
2683 DRW 05
CE
V
IH
6.16
6
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
