IDT7133LA35J 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IDT7133LA35J
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内容描述：	HIGH -SPEED 2K ×16的CMOS双口静态RAM [HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS]
分类和应用：
文件页数/大小：	16 页 / 141 K
品牌：	IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]

IDT7133SA / LA ， IDT7143SA / LA

高速2K ×16双口RAM

军事，工业和商业温度范围

数据保持特性

（ LA版本） V

= 0.2V, V

= V

- 0.2V

7133LA/7143LA

符号

CCDR

参数

数据保留

数据保持电流

= 2V

＆ GT ; V

或< V

CDR

(3)

芯片取消到数据保留时间

手术恢复时间

米尔。 &工业。

Com'l 。

测试条件

分钟。

2.0

___

典型值。

(1)

___

马克斯。

___

单位

µA

100

___

4000

1500

___

(2)

2746 TBL 08

___

注意事项：

1. VCC = 2V ，T

= + 25°C ，而不是生产测试。

2. t

=读周期时间

3.此参数是由设备特性保证，但未经生产测试。

数据保存波形

数据保持方式

CDR

2746 DRW 05

4.5V

＆ GT ; 2V

4.5V

AC测试条件

输入脉冲电平

输入上升/下降时间

输入定时基准水平

输出参考电平

输出负载

GND到3.0V

为5ns最大。

1.5V

图1，图2和图3

2746 TBL 09

1250Ω

数据

OUT

775Ω

30pF

图1. AC输出负载测试

1250Ω

数据

OUT

775Ω

5pF*

忙

270Ω

30pF

2746 DRW 06

图2.输出负载

（对于T

, t

)

*包括范围和夹具

网络连接gure 3 。

忙

输出负载

（ IDT7133 ONLY）

6.42

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