欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

IDT7133LA35J 参数 Datasheet PDF下载

IDT7133LA35J图片预览
型号: IDT7133LA35J
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: HIGH -SPEED 2K ×16的CMOS双口静态RAM [HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS]
分类和应用:
文件页数/大小: 16 页 / 141 K
品牌: IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
 浏览型号IDT7133LA35J的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IDT7133LA35J的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IDT7133LA35J的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IDT7133LA35J的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IDT7133LA35J的Datasheet PDF文件第9页浏览型号IDT7133LA35J的Datasheet PDF文件第10页浏览型号IDT7133LA35J的Datasheet PDF文件第11页浏览型号IDT7133LA35J的Datasheet PDF文件第12页  
IDT7133SA / LA , IDT7143SA / LA
高速2K ×16双口RAM
军事,工业和商业温度范围
读周期第1 ,任何一方的时序波形
(5)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
数据
OUT
以前的数据有效
t
OH
数据有效
OUT
t
BDD
(3,4)
2746 DRW 07
读周期2号,一左一右的时序波形
(5)
t
ACE
CE
t
AOE
OE
t
LZ
数据
OUT
t
PU
当前
I
CC
50%
I
SB
50%
2746 DRW 08
(1)
(4)
(4)
t
HZ
(2)
t
HZ
(2)
有效数据
t
PD
t
LZ
(1)
注意事项:
1.时间取决于该信号被断言最后,
OE
or
CE 。
2.时间取决于该信号首先被拉高,
OE
or
CE 。
3. t
BDD
延迟仅需要在相反的端口完成的写操作相同的地址位置的情况。可同时读取操作,
没有
关系到有效输出数据。
4.启动有效数据取决于哪个时间生效最后,T
AOE
, t
ACE
, t
AA,
或T
BDD
.
5. R / W = V
IH
和地址是有效的之前或同时用
CE
变为低电平。
6.42
8