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IDT7164L70DB 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IDT7164L70DB
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内容描述: CMOS静态RAM 64K ( 8K ×8位) [CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT)]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 108 K
品牌: IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
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IDT7164S/L
CMOS静态RAM 64K ( 8K ×8位)
军用和商用温度范围
DC电气特性
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
IDT7164S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
测试条件
V
CC
=最大,
V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大,
CS
1
= V
IH ,
V
OUT
= GND到V
CC
I
OL
= 8毫安,V
CC
=最小值。
I
OL
= 10毫安,V
CC
=最小值。
V
OH
输出高电压
I
OH
= -4mA ,V
CC
=最小值。
2.4
米尔。
Com'l 。
米尔。
Com'l 。
分钟。
马克斯。
10
5
10
5
0.4
0.5
IDT7164L
分钟。
2.4
马克斯。
5
2
5
2
0.4
0.5
V
2967 TBL 08
单位
µA
µA
V
数据保持特性在所有温度范围
(只有L型) (V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
- 0.2V)
典型值。
(1)
V
CC
@
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR(3)
t
R(3)
|I
LI
|
(3)
马克斯。
V
CC
@
2.0V
200
60
2
3.0V
300
90
2
单位
V
µA
ns
ns
µA
2967 TBL 09
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
输入漏电流
测试条件
米尔。
Com'l 。
1.
CS
1
V
HC
CS
2
V
HC
2. CS
2
V
LC
分钟。
2.0
0
t
RC(2)
2.0v
10
10
3.0V
15
15
注意事项:
1. T
A
= +25°C.
2. t
RC
=读周期时间。
3.此参数是由设备特性保证,但未经生产测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
AC测试负载
GND到3.0V
5ns
1.5V
1.5V
参见图1和2
2967 TBL 10
5V
480Ω
数据
OUT
255Ω
30pF*
5V
480Ω
数据
OUT
255Ω
5pF*
2967 DRW 03
2967 DRW 04
图1. AC测试负载
图2.交流测试负载
(对于T
CLZ1,
t
CLZ2
, t
OLZ
, t
CHZ1,
t
CHZ2
, t
OHZ
, t
OW
和叔
WHZ
)
*包括范围和夹具电容
6.1
4