IDT7164L70DB 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IDT7164L70DB
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内容描述：	CMOS静态RAM 64K （ 8K ×8位） [CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT)]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 108 K
品牌：	IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]

IDT7164S/L

CMOS静态RAM 64K （ 8K ×8位）

军用和商用温度范围

AC电气特性（续）

= 5.0V

10 ％，全温度范围）

7164S35

7164L35

符号

读周期

ACS1(3)

ACS2(3)

读周期时间

地址访问时间

片选- 1访问时间

片选- 2访问时间

—

70/85

—

70/85

—

35/40

—

30/35

—

70/85

参数

分钟。

马克斯。

7164S45

(2)

7164L45

(2)

分钟。

马克斯。

7164S55

(2)

7164L55

(2)

分钟。

马克斯。

7164S70/85

(2)

7164L70/85

(2)

分钟。

马克斯。

单位

CLZ1,2(4)

片选1 ， 2到输出低-Z

OLZ(4)

OHZ(4)

PU(4)

PD(4)

输出使能到输出有效

输出使能，以在低Z输出

CHZ1,2(4)

片选1 ， 2 ，以输出高-Z

输出禁用输出高阻

从地址变更输出保持

芯片的选择上电时间

芯片取消到断电时间

写周期

CW1 ， 2

WR1

WR2

WHZ(4)

DH1

DH2

OW(4)

写周期时间

芯片选择到结束时的写

地址有效到结束时的写

地址建立时间

把脉冲宽度

写恢复时间（

)

写恢复时间（ CS

)

写使能在高阻输出

数据写入时间重叠

从时间写数据保持（

)

从时间写数据保持（ CS

)

输出从主动结束了，写

—

70/85

60/75

—

30/35

—

30/35

—

2967 TBL 11

注意事项：

1. 0 °到+ 70 ° C的温度范围内只。

2， -55 ° C至+ 125 ° C的温度范围内只。也可用： 100ns的军事设备。

3.两个片选必须是活动的设备选择。

4.此参数由设备特性保证，但未经生产测试。

6.1

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