IDT71V124SA ， 3.3V CMOS静态RAM
1兆欧（ 128K ×8位）中心电源&接地引脚
商用和工业温度范围
引脚配置
A
0
A
1
A
2
A
3
CS
I / O
0
I / O
1
V
DD
GND
I / O
2
I / O
3
WE
A
4
A
5
A
6
A
7
1
32
2
31
3
30
4
29
5
28
6 SO32-2 27
7 SO32-3 26
8 SO32-4 25
9
24
10
23
11
22
12
21
13
20
14
19
15
18
16
17
A
16
A
15
A
14
A
13
OE
I / O
7
I / O
6
GND
V
DD
I / O
5
I / O
4
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
3873 DRW 02
绝对最大额定值
(1)
符号
V
DD
V
IN
, V
OUT
等级
电源电压相对
到GND
端电压相对
到GND
广告
工作温度
T
A
产业
工作温度
-40至+85
-55到+125
-55到+125
1.25
50
o
价值
-0.5到+4.6
-0.5到V
DD
+0.5
单位
V
V
-0至+70
o
C
.
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
C
C
o
W
mA
SOJ和TSOP
顶视图
真值表
(1)
CS
L
L
L
H
OE
L
X
H
X
WE
H
L
H
X
I / O
数据
OUT
数据
IN
高-Z
高-Z
读数据
写数据
输出禁用
取消选择 - 待机
3873 TBL 01
3873 TBL 02
注意：
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作指示的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响可靠性。
功能
推荐工作温度
自命电源电压
GRADE
广告
产业
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
GND
0V
0V
V
DD
见下文
见下文
3873 TB升02A
注意：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
建议的直流工作
条件
符号
V
DD
(1)
参数
电源电压
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.15
3.0
0
2.0
–0.5
(1)
典型值。
3.3
3.3
0
____
____
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的， SOJ包装）
符号
C
IN
C
I / O
参数
(1)
输入电容
I / O容量
条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
6
7
单位
pF
pF
3873 TBL 03
马克斯。
3.6
3.6
0
V
DD
+0.3
(3)
0.8
单位
V
V
V
V
V
3873 TBL 04
V
DD
(2)
V
SS
V
IH
V
IL
注意：
1.该参数由器件特性保证，但未经生产测试。
DC电气特性
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
注意事项：
1.只71V124SA10 。
2.对所有速度等级，除了71V124SA10 。
3. V
IH
（最大值） - V
DD
+ 2V的脉宽小于5ns的，每循环一次。
4. V
IL
（分） = -2V为脉冲宽度小于5ns的，每循环一次。
(V
DD
=最小值。到最大，商用和工业温度范围）
测试条件
V
DD
=最大，V
IN =
GND到V
DD
V
DD
=最大值， CS
=
V
IH
, V
OUT -
GND到V
DD
I
OL
= 8毫安，V
DD
=最小值。
I
OH
= -4mA ，V
DD
=最小值。
分钟。
___
___
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
µA
µA
V
V
3873 TBL 05
2.4
2
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
