IDT71V124SA ， 3.3V CMOS静态RAM
1兆欧（ 128K ×8位）中心电源&接地引脚
商用和工业温度范围
AC电气特性
(V
DD
=最小值。到最大，商用和工业温度范围）
71V124SA10
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
(1)
t
CHZ
(1)
t
OE
t
OLZ
(1)
t
OHZ
(1)
t
OH
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
片选在低Z输出
取消芯片输出高-Z
输出使能到输出有效
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
10
____
____
71V124SA12
分钟。
马克斯。
71V124SA15
分钟。
马克斯。
71V124SA20
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
12
____
____
15
____
____
20
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
10
____
12
12
____
15
15
____
20
20
____
____
____
____
____
4
0
____
4
0
____
4
0
____
4
0
____
5
5
____
6
6
____
7
7
____
8
8
____
0
0
4
0
0
4
0
0
4
0
0
4
5
____
5
____
5
____
7
____
写周期
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW
(2)
t
WHZ
(2)
写周期时间
地址有效到结束时的写
芯片选择到结束时的写
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到结束时的写
数据保持时间
输出从主动结束了，写
写使能在高阻输出
10
7
7
0
7
0
5
0
3
0
____
12
8
8
0
8
0
6
0
3
0
____
15
10
10
0
10
0
7
0
3
0
____
20
12
12
0
12
0
9
0
4
0
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3873 TBL 08
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
5
5
5
8
注意事项：
1.此参数保证与交流负载（图2）器件特性，但不生产测试。
4
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
