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IDT71V321S55PF 参数 Datasheet PDF下载

IDT71V321S55PF图片预览
型号: IDT71V321S55PF
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内容描述: HIGH -SPEED 3.3V 2K ×8双端口静态与中断RAM [HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 14 页 / 130 K
品牌: IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
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IDT71V321/71V421S/L
高速3.3V 2K ×8双端口静态RAM与中断
工业和商业温度范围
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
5ns
1.5V
1.5V
图1和图2
3026 TBL 08
数据保存波形
数据保持方式
V
DR
2.0V
V
CC
3.0V
t
CDR
3.0V
t
R
CE
V
IH
V
DR
V
IH
3026 DRW 04
,
3.3V
590Ω
数据
OUT
INT
435Ω
数据
OUT
30pF
435Ω
3.3V
590Ω
5pF
3026 DRW 05
图1. AC输出负载测试
图2.输出负载测试
(对于T
HZ
, t
LZ
, t
WZ
和叔
OW
)
*包括范围和夹具。
AC电气特性在
工作温度电源电压范围
(2)
71V321X25
71V421X25
COM 'L
&工业
SYM BOL
读周期
t
RC
t
AA
t
ACE
t
AOE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
PU
t
PD
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
输出低-Z时间
(1,2)
输出高阻时间
(1,2)
芯片使能上电时间
(2)
芯片禁用断电时间
(2)
25
____
____
____
____
71V321X35
71V421X35
COM ' l只有
分钟。
马克斯。
71V321X55
71V421X55
COM ' l只有
分钟。
马克斯。
单位
PARAM ETER
分钟。
马克斯。
35
____
____
____
____
55
____
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3026 TBL 09
25
25
12
____
____
35
35
20
____
____
55
55
25
____
____
3
0
____
3
0
____
3
0
____
12
____
15
____
30
____
0
____
0
____
0
____
50
50
50
注意事项:
1.转变是从与输出负载测试(图2 )低或高阻抗电压测量0mV 。
2.这个参数是由设备特性保证,但未经生产测试。
部分数字3 “X”表示额定功率(S或L ) 。
5
6.42