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IDT71V321S55PF 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IDT71V321S55PF
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内容描述: HIGH -SPEED 3.3V 2K ×8双端口静态与中断RAM [HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 14 页 / 130 K
品牌: IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
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IDT71V321/71V421S/L
高速3.3V 2K ×8双端口静态RAM与中断
工业和商业温度范围
读周期第1 ,任何一方的时序波形
(1)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
数据
OUT
OUT
t
BDD
(2,3)
3026 DRW 06
t
OH
数据有效
以前的数据有效
注意事项:
1. R / W = V
IH
,
CE
= V
IL
,和是
OE
= V
IL
。地址是有效的前向与巧合
CE
变为低电平。
2. t
BDD
延迟仅需要在相反的端口完成的写操作相同的地址位置的情况。可同时读取操作
具有有效的输出数据没有任何关系。
3.启动有效数据取决于哪个时间生效上次吨
AOE
, t
ACE
, t
AA
和叔
BDD
.
读周期2号,一左一右的时序波形
(3)
t
ACE
CE
t
AOE
OE
t
LZ
(1)
数据
OUT
t
LZ
I
CC
当前
I
SS
t
PU
50%
(1)
(4)
t
HZ
(2)
t
HZ
有效数据
t
PD
(4)
(2)
50%
3026 DRW 07
注意事项:
1.时间取决于该信号被断言最后,
OE
or
CE 。
2.时间取决于该信号拉高第一,
OE
or
CE 。
3. R / W = V
IH
和地址是有效的之前或同时用
CE
变为低电平。
4.启动有效数据取决于哪个时间生效上次吨
AOE
, t
ACE
,
t
AA
t
BDD
.
6
6.42